一种高均匀性ITO靶材及其制备方法技术

本申请涉及ITO靶材技术领域，本申请公开了一种高均匀性ITO靶材及其制备方法。一种高均匀性ITO靶材，包括以下重量份数原料：ITO粉体96.5‑99.5份，Cu/Ni纳米复合物0.5‑3.5份；其中，ITO粉体中氧化铟和氧化锡的重量比为8.8‑9.3:1。本申请采用特定的原料以及配比，制备得到的ITO靶材综合性能优异，可有效地解决现有靶材内部微观组织不均匀以及在烧结过程中容易产生变形、翘曲、开裂等问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及ito靶材，尤其是涉及一种高均匀性ito靶材及其制备方法。

技术介绍

1、ito靶材，全称为氧化铟锡，由铟氧化物(in2o3)和锡氧化物(sno2)组成，后经过压制和高温烧结，使其成为一个致密的陶瓷靶材。

2、ito靶材的一个重要应用是通过真空磁控溅射镀膜技术，在玻璃等基底上形成ito透明导电薄膜。这种薄膜具有优异的光学和电学性能，如高可见光透过率、高红外光反射率和高紫外光吸收率。此外，ito薄膜还具有良好的导电性、衬底基材附着性以及化学稳定性，这使得它在各种光电器件中得到了广泛应用。

3、具体来说，ito薄膜在平面显示器(如液晶显示器lcd和有机发光二极管oled)中用作透明导电电极，驱动像素并传导电流。在触摸屏技术中，ito薄膜则用于检测用户的触摸操作。此外，在太阳能电池、抗静电膜、电磁防护膜、热反射镜等领域，ito薄膜也发挥着重要作用。

4、传统的ito靶材，sno2作为助烧物的加入，可以降低ito靶材的烧结温度，但会对薄膜的透光性能及电学性能造成影响，且掺杂浓度过高会造成晶界散热及生成不导电的in4sn本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高均匀性ITO靶材，其特征在于，包括以下重量份数原料：ITO粉体96.5-99.5份，Cu/Ni纳米复合物0.5-3.5份；其中，ITO粉体中氧化铟和氧化锡的重量比为8.8-9.3:1。

2.根据权利要求1所述的一种高均匀性ITO靶材，其特征在于，包括以下重量份数原料：所述ITO粉体97.5-98.3份，Cu/Ni纳米复合物1.7-2.5份。

3.根据权利要求1所述的一种高均匀性ITO靶材，其特征在于，所述Cu/Ni纳米复合物的直径为40-50nm。

4.根据权利要求1所述的一种高均匀性ITO靶材，其特征在于，所述高均匀性ITO靶材还包括氧化锆...

【技术特征摘要】

1.一种高均匀性ito靶材，其特征在于，包括以下重量份数原料：ito粉体96.5-99.5份，cu/ni纳米复合物0.5-3.5份；其中，ito粉体中氧化铟和氧化锡的重量比为8.8-9.3:1。

2.根据权利要求1所述的一种高均匀性ito靶材，其特征在于，包括以下重量份数原料：所述ito粉体97.5-98.3份，cu/ni纳米复合物1.7-2.5份。

3.根据权利要求1所述的一种高均匀性ito靶材，其特征在于，所述cu/ni纳米复合物的直径为40-50nm。

4.根据权利要求1所述的一种高均匀性ito靶材，其特征在于，所述高均匀性ito靶材还包括氧化锆，所述氧化锆的重量份数为0.1-2.2份。

5.根据权利要求4所述的一种高均匀性ito靶材，其特征在于，所述氧化锆的平均粒径不大于10...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁金铎，杨进明，葛春桥，陈露，李强，
申请(专利权)人：中山智隆新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：