光电转换元件、光电半导体构件和用于制造光电构件的方法技术

本发明专利技术涉及一种光电转换元件(100)，包括具有热导率大于25W/(m*K)的材料的载体(110)，其中，在载体(110)中构成开口(112)，还包括发光物质(115)，发光物质布置在开口(112)中，由此限定转换区域(117)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

1、表面发射的半导体激光器或vcsel(“垂直腔表面发射激光器”)越来越多地用于照明目的。由于在表面发射的激光器中出现的发光密度和能量密度高，而有必要开发新型的转换元件。

技术实现思路

1、本专利技术所基于的目的是：提供改进的光电转换元件以及改进的光电半导体构件和用于制造光电半导体构件的改进的方法。根据实施方式，该目的通过独立专利权利要求的主题来实现。有利的改进形式在属专利权利要求中限定。

2、光电转换元件包括：载体，所述载体具有热导率大于25w/(m*k)的材料，其中在该载体中构成开口；和布置在开口中的发光物质，由此限定转换区域。根据另外的实施方式，载体可以具有热导率大于50w/(m*k)的材料。

3、光电转换元件还可以具有位于载体和发光物质之间的反射层。替代地或附加地，载体的材料可以是反射性的。

4、载体的材料可以是反射性的，并且例如在载体和发光物质之间的边界面处对于由转换元件转换的辐射具有至少75％、至少80％或至少90％的反射率。p>

5、载体和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电转换元件(100)，包括：

2.根据权利要求1所述的光电转换元件(100)，其中，所述载体(110)的厚度大于5μm。

3.根据前述权利要求中任一项所述的光电转换元件(100)，其中，所述转换区域(117)沿着行和列布置或者根据六边形图案布置。

4.一种光电半导体构件(10)，包括

5.根据权利要求4所述的光电半导体构件(10)，其中，所述半导体设备(125)包括表面发射半导体激光器元件(130)。

6.根据权利要求4所述的光电半导体构件(10)，其中，所述半导体设备(125)包括发光二极管(LED)。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光电转换元件(100)，包括：

2.根据权利要求1所述的光电转换元件(100)，其中，所述载体(110)的厚度大于5μm。

3.根据前述权利要求中任一项所述的光电转换元件(100)，其中，所述转换区域(117)沿着行和列布置或者根据六边形图案布置。

4.一种光电半导体构件(10)，包括

5.根据权利要求4所述的光电半导体构件(10)，其中，所述半导体设备(125)包括表面发射半导体激光器元件(130)。

6.根据权利要求4所述的光电半导体构件(10)，其中，所述半导体设备(125)包括发光二极管(led)。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的光电半导体构件(10)，其中，所述半导体设备(125)具有发光元件(127)的布置，并且所述光电转换元件(100)的所述转换区域(117)分别布置在对应于所述发光元件(127)的位置的位置处。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的光电半导体构件(10)，还具有位于所述半导体设备(125)与所述光电转换元件(100)之间的焊料框架(120)。

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【专利技术属性】
技术研发人员：泽利科·帕伊基奇，约翰·拉姆钦，
申请(专利权)人：艾迈斯欧司朗国际有限责任公司，
类型：发明
国别省市：