【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装,特别涉及一种封装结构及其制作方法。
技术介绍
1、随着系统级封装(system in package,sip)技术的发展以及小型化需求的日益紧迫,在功率放大器(poweramplifier,pa)类模组产品中,双面封装形式逐渐取代单面封装形式,以实现微小化的需求。为了减小双面封装结构的厚度,对安装在基板正面的器件的厚度要求也越来越严苛。其中,为了降低封装结构的厚度,安装在基板正面的滤波器(filter)芯片现需要由芯片级封装(chip scale package,csp)向更小的晶圆级封装(wafer levelpackaging,wlp)转变,然而滤波器芯片转到wlp一方面增加了成本,另一方面wlp类型芯片不耐模压,影响了产品的良率。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种封装结构及其制作方法,可以在双面封装中使用芯片级封装的电子元件且封装结构还可以保持较小的厚度,有利于降低成本和提高良率。
2、为了实现上述目的,本专利技术提供一种封装结构,所述封装结
...【技术保护点】
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一正面电子元件中,所述塑封体覆盖所述芯片本体的侧壁以及所述芯片本体远离所述基板的表面;所述塑封体远离所述基板的表面与所述第一塑封层远离所述基板的表面齐平。
3.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一正面电子元件中,所述塑封体覆盖所述芯片本体的侧壁且露出所述芯片本体远离所述基板的表面;所述第一塑封层远离所述基板的表面与所述第一正面电子元件芯片本体的远离所述基板的表面齐平。
4.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一正面电子元件还
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一正面电子元件中,所述塑封体覆盖所述芯片本体的侧壁以及所述芯片本体远离所述基板的表面;所述塑封体远离所述基板的表面与所述第一塑封层远离所述基板的表面齐平。
3.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一正面电子元件中,所述塑封体覆盖所述芯片本体的侧壁且露出所述芯片本体远离所述基板的表面;所述第一塑封层远离所述基板的表面与所述第一正面电子元件芯片本体的远离所述基板的表面齐平。
4.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一正面电子元件还包括再布线层和焊盘,所述再布线层位于所述芯片本体的正面一侧且与所述芯片本体电连接,所述焊盘位于所述再布线层上。
5.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一正面电子元件为芯片级封装的滤波器芯片。
6.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述基板的正面设置有第一正面凹槽,所述第一正面电子元件安装在所述第一正面凹槽内。
7.如权利要求1所述的封装结构,...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘二微,张磊,陈文,蒋品方,
申请(专利权)人:唯捷创芯天津电子技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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