一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法，该聚酰亚胺薄膜的制备方法包括以下步骤：提供一衬底，并将衬底固定于旋涂机器的转动平台上；以第一转速转动衬底并于衬底上表面喷涂粘附剂，在转动第一预设时间后，以第二转速转动第二预设时间，以得到粘附层；以第三转速转动衬底，于转动的粘附层的上表面喷涂聚酰亚胺，并在转动第三预设时间后，以第四转速转动第四预设时间，在转动第四预设时间后，以第五转速转动第五预设时间；在预设温度下，以第一预设温度对衬底进行烘烤；将烘烤后衬底置于炉管中，并以第二预设温度对衬底进行退火，以得到聚酰亚胺薄膜。本发明专利技术通过改进形成聚酰亚胺薄膜的工艺，提升了聚酰亚胺薄膜的质量，缩短了制备时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造领域，涉及一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、在微测辐射热计型非制冷红外焦平面探测器中，通过设计光学谐振腔可以增强对入射红外辐射的吸收，进一步提高探测器的灵敏度。谐振腔中的空腔结构可通过刻蚀或腐蚀牺牲层的方法获得，通常作为牺牲层有二氧化硅、磷硅玻璃、聚酰亚胺等材料。其中聚酰亚胺具有耐高温、高绝缘性、良好的化学稳定性以及承受应变能力强等特点，因此聚酰亚胺常作为牺牲层或钝化保护层应用于mems器件结构中。常规的技术路线是采用静态滴液旋涂，衬底静止状态旋涂黏附剂、聚酰亚胺溶液，但该方法获得膜中心偏厚，且衬底中心多数情况会存在异常圆点，同时为获得无脱落、稳定性好的薄膜，需要多个烘烤步骤，导致聚酰亚胺薄膜的制备时间偏长。

2、因此，急需寻找一种提高半导体器件制备过程中形成的聚酰亚胺薄膜的厚度均匀性和薄膜质量并缩短制备薄膜周期的聚酰亚胺薄膜的制备方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法，用于解决现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底包括导电玻璃板、硅板、氧化硅板。

3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：将所述衬底固定于所述转动平台之前，还包括清洗所述衬底的步骤。

4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述第一转速的范围为300rpm/s～500rpm/s；所述第二转速的范围为600rpm/s～800rpm/s；所述第三转速的范围为300rpm/s～500rpm/s；所述第四转速的范围为1200rpm/s～210...

【技术特征摘要】

1.一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底包括导电玻璃板、硅板、氧化硅板。

3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：将所述衬底固定于所述转动平台之前，还包括清洗所述衬底的步骤。

4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述第一转速的范围为300rpm/s～500rpm/s；所述第二转速的范围为600rpm/s～800rpm/s；所述第三转速的范围为300rpm/s～500rpm/s；所述第四转速的范围为1200rpm/s～2100rpm/s；所述第五转速的范围为600rpm/s～800rpm/s。

5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述第一预设时间的范围为15s～30s；所述第二预设时间的范围为30s～50s；所述第三预设时间的范围为15s～30s；所述第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：李黎，
申请(专利权)人：华润微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：