【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电力，特别是涉及一种基于导通压降的igbt结温标定方法、装置、系统、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。
技术介绍
1、随着电力电子技术的发展，功率半导体模块因其具有驱动模块简单、功率等级高、功耗小等优点而被广泛应用于电机控制器、逆变器等装置。功率器件igbt（insulate-gatebipolar transistor，绝缘栅双极晶体管）是电力电子系统实现电能变换的关键部件，其运行状态和健康状态是电力电子设计与使用人员关注的重点，而igbt结温作为运行与健康状态的关键指标，作为半导体器件igbt相关参数的参考与基准变量，已成为领域内学者研究的重中之重。
2、由于igbt芯片在模块内部具有难以直接观测、不易直接接触等特点，相关技术中在通过红外感知非接触测温法和温度传感器接触测温法进行结温检测过程中，均需要打开或改变igbt的封装结构，其适用性和可靠性较低，导致igbt的结温标定结果准确率较低。
3、因此，相关技术中存在着igbt的结温标定结果准确率较低的问题。
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【技术保护点】
1.一种基于导通压降的IGBT结温标定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外部端子导通压降的表达式为：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在不同的母线电压下通过单脉冲测试方法，确定所述待测的IGBT模块内部的杂散电感，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，两次不同的所述母线电压包括第一母线电压和第二母线电压；所述杂散电感的表达式为：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据各所述预设结温下的IGBT芯片导通压降和导通电流之间的映射关系，得到结温
【技术特征摘要】
1.一种基于导通压降的igbt结温标定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外部端子导通压降的表达式为：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在不同的母线电压下通过单脉冲测试方法，确定所述待测的igbt模块内部的杂散电感，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，两次不同的所述母线电压包括第一母线电压和第二母线电压；所述杂散电感的表达式为：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据各所述预设结温下的igbt芯片导通压降和导通电流之间的映射关系，得到结温确定模型，包括：
6.一种基于导通压降的igbt结...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹延生，肖凯，郑润民，严喜林，王振，梁宁，韦晓星，彭茂兰，何智鹏，张怿宁，
申请(专利权)人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院，
类型：发明
国别省市：
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