【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶硅电池生产领域，尤其涉及一种光化学硅片清洗槽体结构。
技术介绍
1、目前，市面主流的太阳能电池为晶硅电池，在晶硅电池制备工艺中需要对硅片进行预清洗和后清洗，预清洗和后清洗需要消耗大量的过氧化氢，过氧化氢属危险化学品，运输储存均有较大的风险。
2、硅片预清洗及后清洗常用的清洗办法大多为碱+过氧化氢，或碱+过氧化氢+添加剂。现有技术中通常采用外加有机添加剂的方法来节省过氧化氢的用量或直接使用碱+过氧化氢的方法，设备方面大都采用一主槽体设计，通过初配和过程中补液的方法来维持槽体中过氧化氢的浓度，以保证清洗的正常进行。
3、然而，现有的硅片预处理方法需要消耗大量的过氧化氢，加入添加剂虽然可以节省部分过氧化氢，但添加剂的使用会导致产生的废水高cod值，因此达不到预想的效果。
4、有鉴于此，如何减少过氧化氢用量，降低危险化学品的运输及储存的风险，同时解决清洗过程因添加剂使用带来的废水高cod问题成为本领域亟待解决的技术难题。
技术实现思路
1、本专利...
【技术保护点】
1.一种光化学硅片清洗槽体结构，包括清洗槽主槽体(1)，其特征在于，所述清洗槽主槽体(1)的一侧管路连接有光密闭箱(2)，所述清洗槽主槽体(1)的内部设有第一曝气装置(11)；所述光密闭箱(2)的内部设有第二曝气装置(7)，所述第二曝气装置(7)的一端贯穿所述光密闭箱(2)的侧壁与气体输入装置(5)管路连接；所述光密闭箱(2)的至少一侧内壁上设有光源；所述光密闭箱(2)内还设有催化剂释放结构。
2.根据权利要求1所述的光化学硅片清洗槽体结构，其特征在于，所述催化剂释放结构为可拆卸插放在所述光密闭箱(2)的侧壁上的催化剂床体(8)，所述催化剂床体(8)上均匀
【技术特征摘要】
1.一种光化学硅片清洗槽体结构，包括清洗槽主槽体(1)，其特征在于，所述清洗槽主槽体(1)的一侧管路连接有光密闭箱(2)，所述清洗槽主槽体(1)的内部设有第一曝气装置(11)；所述光密闭箱(2)的内部设有第二曝气装置(7)，所述第二曝气装置(7)的一端贯穿所述光密闭箱(2)的侧壁与气体输入装置(5)管路连接；所述光密闭箱(2)的至少一侧内壁上设有光源；所述光密闭箱(2)内还设有催化剂释放结构。
2.根据权利要求1所述的光化学硅片清洗槽体结构，其特征在于，所述催化剂释放结构为可拆卸插放在所述光密闭箱(2)的侧壁上的催化剂床体(8)，所述催化剂床体(8)上均匀铺设有光催化剂。
3.根据权利要求2所述的光化学硅片清洗槽体结构，其特征在于，所述光催化剂为zno、tio2中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的光化学硅片清洗槽体结构，其特征在于，所述清洗槽主槽体(1)与光密闭箱(2)之间的管路包括主槽体进液管(3)和主槽体出液管(4)，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李献朋，郎芳，潘明翠，麻超，刘莹，史金超，于波，
申请(专利权)人：英利能源发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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