由次级绕组的一部分供电的同步整流器电路制造技术

技术编号:41730285 阅读:25 留言:0更新日期:2024-06-19 12:52
本发明专利技术公开了一种同步整流器电路,其由次级绕组的一部分自供电。变压器具有被布置成从电源接收电力的初级绕组、被布置成将电力传递到负载的次级绕组、以及被布置成将电力传递到控制器电路的抽头输出,其中该抽头输出由该次级绕组的一部分形成。该控制器电路使用来自该抽头输出的电力以驱动设置在该次级绕组和该负载之间的同步开关。该同步开关对从该次级绕组接收的该电力进行整流,使得可向负载供应DC电力。

【技术实现步骤摘要】

所描述的实施方案涉及同步整流器电源电路。


技术介绍

1、同步整流器技术使用低导通电阻金属氧化物半导体场效应晶体管mosfet来代替整流器二极管,这可有效地减小转换器的传导损耗。同步整流器电路广泛用于开关电源以改进效率。尽管与二极管整流器相比,它们的损耗减少,但它们具有与传导和驱动损耗相关的损耗。


技术实现思路

1、在一些实施方案中,功率转换电路包括变压器,该变压器具有耦合到次级绕组的初级绕组,其中该初级绕组被布置成从电源接收ac电力并且其中该次级绕组被布置成将电力传递到负载,该次级绕组在第一端子和第二端子之间延伸并且包括设置在该第一端子和该第二端子之间的抽头输出。同步开关设置在该次级绕组和该负载之间。控制器被布置成操作该同步开关以对传递到该负载的该电力进行整流,该控制器被布置成从该抽头输出接收电力。

2、在一些实施方案中,该同步开关由氮化镓形成。在各种实施方案中,该控制器由硅形成。在一些实施方案中,该同步开关和该控制器由氮化镓形成并且单片地形成在单个管芯上。在各种实施方案中,该功率转换电路还包括定本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率转换电路,包括:

2.根据权利要求1所述的功率转换电路,其中所述同步开关由氮化镓形成。

3.根据权利要求1所述的功率转换电路,其中所述控制器由硅形成。

4.根据权利要求1所述的功率转换电路,其中所述同步开关和所述控制器由氮化镓形成并且单片地形成在单个管芯上。

5.根据权利要求1所述的功率转换电路,还包括定位在所述抽头输出和所述控制器之间的二极管。

6.根据权利要求1所述的功率转换电路,其中所述抽头输出包括次级绕组匝数的一部分。

7.根据权利要求1所述的功率转换电路,其中所述次级绕组包括在所述第一端子和所述...

【技术特征摘要】

1.一种功率转换电路,包括:

2.根据权利要求1所述的功率转换电路,其中所述同步开关由氮化镓形成。

3.根据权利要求1所述的功率转换电路,其中所述控制器由硅形成。

4.根据权利要求1所述的功率转换电路,其中所述同步开关和所述控制器由氮化镓形成并且单片地形成在单个管芯上。

5.根据权利要求1所述的功率转换电路,还包括定位在所述抽头输出和所述控制器之间的二极管。

6.根据权利要求1所述的功率转换电路,其中所述抽头输出包括次级绕组匝数的一部分。

7.根据权利要求1所述的功率转换电路,其中所述次级绕组包括在所述第一端子和所述第二端子之间的n匝,并且其中所述抽头输出包括在所述第一端子和所述抽头输出之间的m匝,其中m小于n。

8.一种功率转换电路,包括:

9.根据权利要求8所述的功率转换电路,其中所述控制器电路被布置成操作所述同步开关以对传递到所述负载的所述电力进行整流。

10.根据权利要求8所述的功率转换电路,其中所述同步开关由氮化镓形成。

11.根据权利要求8所述的功率转换电路,其中所述控制器由硅形成...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄秀成周云杜韦静
申请(专利权)人:纳维达斯半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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