易剥离的超薄载体铜箔的制备方法及超薄载体铜箔技术

本发明专利技术提供一种易剥离的低粗糙度超薄载体铜箔的制备方法及超薄载体铜箔，包含步骤：(1)电解铜箔除油；(2)电解铜箔酸洗；(3)剥离层制备；(4)电镀超薄铜层；(5)超薄铜层抗氧化；(6)超薄铜箔烘干；本制备方法使用了直流加脉冲的分段式混合电沉积法，可有效解决超薄载体铜箔中超薄铜箔层与剥离层结合强度过大或不均匀导致的无法剥离或剥离不完整的问题，剥离强度约为0.12N/mm，且所制备的超薄铜层表面光滑、组织致密、粗糙度极低，Rz仅为1.420μm。使用该方法时，也无需进行更换镀液、等待吸附、或反复冲洗等繁杂操作，仅需改变相应的电镀参数即可完成，制备流程快速简便，非常适合应用于大规模工业生产之中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子材料，具体涉及一种易剥离的低粗糙度超薄载体铜箔的制备方法及超薄载体铜箔。

技术介绍

1、近年来，各类电子产品对小型化、轻型化的需求日益上升，不断推动着印制电路板向高精度、高密度的方向迅速发展。但时至今日，传统的hdi板所采用的减成法工艺已很难突破元器件的密度限制，制造线路的最小线宽/线距也被限制在40μm/40μm，已无法满足更高密度互联的各项指标。而新兴的类载板技术通过使用msap工艺替代传统的减成法，得以实现设计线宽/线距小于30μm/30μm的线路能力，并以此完成更高密度互联的要求。而这种关键的msap工艺的核心技术之一就是超薄铜箔的使用。

2、然而，在制备超薄铜箔时，往往会存在两点难题:一方面是由于超薄铜箔的厚度小，在生产和应用的过程中，极易发生卷曲与弯折现象，给后端的应用带来巨大的麻烦；另一方面是由于铜箔在降低厚度的同时，力学性能也随之降低，难以满足后端对于高性能铜箔的应用需求。因此，目前5μm以下的超薄铜箔基本都以可剥离的超薄载体铜箔的方式进行生产，

3、目前主流的超薄载体铜箔大致由以下三层结构组成，分本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种易剥离的超薄载体铜箔的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

2.如权利要求1所述的超薄载体铜箔制备方法，其特征在于，步骤(1)所述电解铜箔除油液成分为：10-30g/L的氢氧化钠，20-50g/L的碳酸钠，20-70g/L的十二水合磷酸钠。

3.如权利要求1所述的超薄载体铜箔制备方法，其特征在于，步骤(2)所述电解铜箔酸洗液为：质量分数为2-12％的硫酸；

4.如权利要求1所述的超薄载体铜箔制备方法，其特征在于，步骤(3)所述剥离层A与剥离层B均为由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Mg、Ti、W、P、Cu、Al之元素群内的任一种元素所构成的单一金...

【技术特征摘要】

1.一种易剥离的超薄载体铜箔的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

2.如权利要求1所述的超薄载体铜箔制备方法，其特征在于，步骤(1)所述电解铜箔除油液成分为：10-30g/l的氢氧化钠，20-50g/l的碳酸钠，20-70g/l的十二水合磷酸钠。

3.如权利要求1所述的超薄载体铜箔制备方法，其特征在于，步骤(2)所述电解铜箔酸洗液为：质量分数为2-12％的硫酸；

4.如权利要求1所述的超薄载体铜箔制备方法，其特征在于，步骤(3)所述剥离层a与剥离层b均为由cr、ni、co、fe、mo、mg、ti、w、p、cu、al之元素群内的任一种元素所构成的单一金属层、或者由选自cr、ni、co、fe、mo、mg、ti、w、p、cu、al之元素群中之一种以上的元素所构成的合金层，或者于该单一金属层或该合金层上由选自cr、ni、co、fe、mo、mg、ti、w、p、cu、al之元素群中之一种以上的元素的水合物或氧化物所构成的层；其中，元素群进一步优选为cr、ni、co、fe、mg。

5.如权利要求1所述的超薄载体铜箔制备方法，其特征在于，步骤(3)和步骤(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：周国云，于鹏鹏，张振海，王守绪，李玖娟，王翀，梁志杰，赖勃，洪延，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：