一种电子级二氯氢硅的合成及纯化方法技术

本申请涉及一种电子级二氯氢硅的合成及纯化方法，具体包括以下步骤，催化剂除水，去除铁基碱性树脂催化剂中的水分；催化反应，三氯氢硅作为原料，从装有铁基碱性树脂催化剂的RD塔反应段上部进入，原料在反应段进行催化转化，得到二氯氢硅反应产品；初分离，RD塔塔顶采出二氯氢硅，塔釜采出四氯化硅；精馏提纯，RD塔塔顶采出后的二氯氢硅进行轻、重组分杂质脱除，得到二氯氢硅精品，通过精品罐收集后进行充装得到电子级二氯氢硅。在本申请提出的工艺参数条件下，RD塔、精馏塔内的反应和分离效果耦合性能良好；本申请提高了转化率与选择性，降低过程能耗，节省设备投资；本申请制备出的二氯氢硅产品纯度高，可以满足集成电路使用。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于电子特气的，涉及二氯氢硅的制备方法，具体涉及一种电子级二氯氢硅的合成及纯化方法。

技术介绍

1、电子特种气体广泛应用于集成电路的关键工艺中，如刻蚀、外延、光刻、化学气相沉积以及原子层沉积，是整个电子工业体系的核心原材料，按照集成电路制造工艺，可将电子特气分为成膜气体、光刻气体、刻蚀及清洗气体、离子注入气体、前驱体以及大宗气6大类。近年来，随着cvd/ald等沉积技术的发展，成膜气体的需求大幅提升并以中国市场的增长最为迅速。其中，氯硅烷是重要且用量较大的一个分支，尤其是二氯硅烷(sih2cl2)由于其优异的性能，广泛应用在ald\cvd沉积领域，且随着集成电路行业的发展，其用量也在逐年攀升。另一方面，随着集成电路先进制程的发展，对产品纯度的要求也越来越高，国内目前能够生产并满足集成电路使用要求的厂家非常少，因此具有较高的发展潜力。

2、二氯硅烷(sih2cl2，dcs)主要用于集成电路制备过程中的外延生长和薄膜沉积工艺。传统芯片制程中二氯硅烷与n2o或nh3反应生成氧化硅或氮化硅作为电介质层或钝化层，也可与六氟化钨或四氯化锡等反应生成金本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子级二氯氢硅的合成及纯化方法，其特征在于：利用三氯氢硅的催化反应后，经二级精馏对二氯氢硅进行提纯精制，具体包括以下步骤，

2.根据权利要求1所述的一种电子级二氯氢硅的合成及纯化方法，其特征在于：步骤1中，利用纯度不低于99％的四氯化硅进行催化剂除水，除水步骤为：将四氯化硅加入RD塔后，回流24h。

3.根据权利要求1所述的一种电子级二氯氢硅的合成及纯化方法，其特征在于：所述铁基碱性树脂催化剂的制备方法为：用FeCl3·6H2O与强碱性阳离子交换树脂按质量配比mFe:m树脂＝0.5:1反应，乙醇为反应溶剂，反应温度为60～70℃，反应时间为6～8h，即可制...

【技术特征摘要】

1.一种电子级二氯氢硅的合成及纯化方法，其特征在于：利用三氯氢硅的催化反应后，经二级精馏对二氯氢硅进行提纯精制，具体包括以下步骤，

2.根据权利要求1所述的一种电子级二氯氢硅的合成及纯化方法，其特征在于：步骤1中，利用纯度不低于99％的四氯化硅进行催化剂除水，除水步骤为：将四氯化硅加入rd塔后，回流24h。

3.根据权利要求1所述的一种电子级二氯氢硅的合成及纯化方法，其特征在于：所述铁基碱性树脂催化剂的制备方法为：用fecl3·6h2o与强碱性阳离子交换树脂按质量配比mfe:m树脂＝0.5:1反应，乙醇为反应溶剂，反应温度为60～70℃，反应时间为6～8h，即可制得所述铁基碱性树脂催化剂。

4.根据权利要求1所述的一种电子级二氯氢硅的合成及纯化方法，其特征在于：步骤2中所述三氯氢硅的纯度不低于90％，进料量为1～3kg/h，从rd塔中装有铁基碱性树脂催化剂的反应段上部持续进入。

5.根据权利要求1所述的一种电子级二氯氢硅的合成及纯化方法，其特征在于：步骤2中所述rd塔的温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：李欣，吕浩然，张露露，吕舜，纪振红，索晓雷，宋忠华，郗少杰，
申请(专利权)人：中船邯郸派瑞特种气体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：