抑制IGCT关断拖尾振荡的方法、压接型IGCT及应用技术

一种抑制IGCT关断拖尾振荡的方法、压接型IGCT及应用。所述抑制IGCT关断拖尾振荡的方法，包括：将所述IGCT的阴极金属连接片替换成带有凸台结构的阴极金属连接片，或者在所述IGCT的阴极金属连接片上形成凸台结构；在所述凸台位置嵌入软磁磁环。本发明专利技术有效抑制了整晶圆封装的压接IGCT器件关断拖尾电流振荡，提高了器件应用系统的可靠性；本发明专利技术在现有的压接IGCT器件封装形式上改进完成，装配简单，所用软磁材料只在小电流情况下作用，不影响器件正常工作时的电气参数；所用软磁环可根据实际需求调整为一层或多层，灵活便捷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子，具体涉及一种抑制igct关断拖尾振荡的方法、压接型igct及应用，用于igct器件的开关特性优化。

技术介绍

1、igct(integrated gate commutated thyristor)是一种晶闸管，结合了gto(门极可关断)晶闸管和mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)的特性，集成了这两种器件的优点，可提高高功率应用的整体效率和性能。igct将封装好的整晶圆门极换流晶闸管与门极驱动回路采用互联设计集成在印制电路板上，其电压电流容量和可靠性高、通态压降和生产成本低，在电网及变速驱动等应用领域具备显著优势。

2、在进行igct特定的工况的开关特性测试时，igct的拖尾振荡会引起电压、电流急剧振荡，igct典型的拖尾振荡测试波形如图1所示(振荡部分使用实心方框标出)，该高频振荡的传导和辐射电磁干扰，对于控制系统以及电磁环境也具有重要的影响，抑制igct的拖尾振荡对于系统的安全可靠运行至关重要。

3、但是，经过技术检索发现，针对igct的关断拖尾振荡，目前现有技术中并未给出有效抑制方案，因此亟需开本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抑制IGCT关断拖尾振荡的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阴极金属连接片的材质为金属钼或钼铜合金。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述软磁磁环套设在所述凸台上；和/或

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述软磁磁环为多层；和/或

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阴极金属连接片的凸台与IGCT芯片的阴极梳条一一对应，且所述软磁磁环的通孔与阴极金属连接片的凸台一一对应；

6.一种压接型IGCT，其特征在于，所述压接型IGCT的阴极金属连接片上带...

【技术特征摘要】

1.一种抑制igct关断拖尾振荡的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阴极金属连接片的材质为金属钼或钼铜合金。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述软磁磁环套设在所述凸台上；和/或

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述软磁磁环为多层；和/或

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阴极金属连接片的凸台与igct芯片的阴极梳条一一对应，且所述软磁磁环的通孔与阴极金属连接片的凸台一一对应；

6.一种压接型igct，其特征在于，所述压接型igct的阴极金属连接片上带有凸台结构，并嵌入了软磁磁环...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐新灵，杜玉杰，魏晓光，石浩，张红丹，王耀华，
申请(专利权)人：北京怀柔实验室，
类型：发明
国别省市：