【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子封装，具体涉及一种电镀陶瓷基板围坝制备方法及具有围坝的陶瓷基板结构。
技术介绍
1、封装基板利用材料本身具有的高热导率，将热量从芯片(热源)导出，实现与外界环境的热交换。随着芯片输入功率越来越高，对封装基板的散热性能要求越来越高。dpc电镀陶瓷基板(dpc-direct plating copper,表示可以直接在其表面上镀铜)由于其良好的导热性、低热膨胀系数、高图形精度和可垂直互连等优势，在电子封装特别是功率电子器件(如igbt、ld、大功率led等)中的应用越来越广泛。
2、为保护元器件芯片工作过程中免受外界因素干扰，采用围坝构造密闭腔体结构的三维陶瓷基板来封装芯片，可以有效提高器件可靠性。然而现有的围坝制作技术存在一定的不足，具体如下：(1)共烧陶瓷技术制备的陶瓷围坝存在对位误差、收缩比例不一致、线路层精度差等问题；(2)采用多层电镀增厚技术需要多次重复贴膜、光刻和电镀工艺，工艺复杂，制备时间长，并且多次光刻易引发对位偏差，导致对位精度差，褪膜难度大等问题，无法满足大规模量产需求。
【技术保护点】
1.一种电镀陶瓷基板围坝制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.如权利要求1所述的电镀陶瓷基板围坝制备方法，其特征在于，所述凹槽(7)的深度为所述陶瓷基板(1)厚度的1/6-1/8。
3.如权利要求1所述的电镀陶瓷基板围坝制备方法，其特征在于，在所述陶瓷基板(1)正面和背面分别沉积金属种子层(4)，包括：
4.如权利要求1所述的电镀陶瓷基板围坝制备方法，其特征在于，所述第一次光刻，在所述陶瓷基板(1)上制作出需要电镀的图形区域，同时显示出所述围坝盲槽(2)的位置，包括：
5.如权利要求4所述的电镀陶瓷基板围坝制备方...
【技术特征摘要】
1.一种电镀陶瓷基板围坝制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.如权利要求1所述的电镀陶瓷基板围坝制备方法，其特征在于，所述凹槽(7)的深度为所述陶瓷基板(1)厚度的1/6-1/8。
3.如权利要求1所述的电镀陶瓷基板围坝制备方法，其特征在于，在所述陶瓷基板(1)正面和背面分别沉积金属种子层(4)，包括：
4.如权利要求1所述的电镀陶瓷基板围坝制备方法，其特征在于，所述第一次光刻，在所述陶瓷基板(1)上制作出需要电镀的图形区域，同时显示出所述围坝盲槽(2)的位置，包括：
5.如权利要求4所述的电镀陶瓷基板围坝制备方法，其特征在于，曝光剂量为100±30mj/cm2；显影喷压为1.0-2.0bar；显影液na2co3/k2co3为0.85-1.0wt％，显影温度为27℃-30℃，露出围坝(5)位...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨欢，张鹤，杨振涛，刘林杰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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