光检测装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术旨在提供用于提高制造合格率的技术。本发明专利技术的光检测装置包括：半导体层，其具有在厚度方向上相互位于相反侧的第一面和第二面；分离区域，其设置于半导体层中且沿半导体层的厚度方向延伸；由分离区域划分的光电转换区域；导体，其设置于分离区域中且沿半导体层的厚度方向延伸；中继导电垫，其被形成得比导体的宽度更宽，并且在半导体层的第一面侧上以在平面图中与导体重叠的方式与导体连接；以及触点部，其以在平面图中与中继导电垫重叠的方式与中继导电垫连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本技术(根据本专利技术的技术)涉及光检测装置和电子设备，特别地，涉及能够有效地应用于具有由埋入型分离区域划分的光电转换区域的光检测装置、以及具有该光检测装置的电子设备的技术。

技术介绍

1、诸如固态摄像装置或测距装置等光检测装置包括具有由分离区域划分的多个光电转换区域的半导体层。专利文献1公开了这样一种埋入型分离区域：即，导体(掺杂多晶硅膜)隔着绝缘膜而埋入到半导体层的挖掘部内，从而作为用于划分光电转换区域的分离区域。此外，还公开了一种通过向分离区域中的导体施加负偏压来增强分离区域的侧壁的钉扎的技术。

2、[引用文献列表]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]：日本专利申请特开第2018-148116号公报

技术实现思路

1、[要解决的技术问题]

2、顺便提及地，作为将电位施加到分离区域中的导体的方法，存在以下方法：层叠于半导体层上的多层配线层(配线层层叠体)的供电配线通过供电触点电极与分离区域中的导体电性连接，并且将电位从供电配线经由供电触点电极施加到分离区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.光检测装置，包括：

2.根据权利要求1所述的光检测装置，还包括：

3.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，

4.根据权利要求1所述的光检测装置，还包括：

5.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

6.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

7.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

8.电子设备，包括：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.光检测装置，包括：

2.根据权利要求1所述的光检测装置，还包括：

3.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，

4.根据权利要求1所述的光检测装置，还包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：西田庆次，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：