一种减少异质结电池篮齿印的方法技术

本发明专利技术提供一种减少异质结电池篮齿印的方法，在硅片制绒后双氧水作为强氧化剂，对硅片表面的有机污染物和损伤层进行氧化溶解，提高硅片表面的洁净度，双氧水过量时，造成氢氧化钾对硅片的过腐蚀，金字塔成型不佳，表面微粗糙度高，对花篮缝隙遮挡的地方尤为明显，篮齿印比例偏高，因此本申请通过将氢氧化钾和双氧水按照比例配槽，并将体积自补比例稳定在1:2‑1:3，能够使绒面的微粗糙度降低，从而可以大大降低篮齿印比例。通过制绒液中碱和添加剂的设置降低硅片表面张力，提高制绒液的润湿度和流动性，同时打开鼓泡功能，通过制绒温度、时间以及工艺配比使得硅片的表面呈现规则、小尺寸、均匀、密集的金字塔绒面结构，并降低篮齿印比例。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及异质结电池制造，特别是涉及一种减少异质结电池篮齿印的方法。

技术介绍

1、异质结电池是高效光伏太阳能电池的一种，与传统晶硅光伏太阳能电池相比，异质结电池因其更高的转换效率，越来越受到市场的青睐。异质结是单晶n型电池，首先也需要经过槽式制绒，制备金字塔结构的绒面，在使用湿法花篮时不可避免的会产生篮齿印，这是由于制绒槽内，硅酸钾或硅酸钠浓度累计，硅酸钠或硅酸钾在溶液中呈胶体状态，大大增加了溶液的粘稠度，对腐蚀液中氢氧离子从腐蚀液向反应界面的运输过程具有缓冲作用。

2、硅酸钠和硅酸钾在制绒液中含量在2.5-30wt％的情况下，溶液都具有良好的择向性，同时硅片表面上能生产完全覆盖角锥体的绒面，随着硅酸钠或者硅酸钾含量的增加，溶液粘度增加，流动性较差，硅片两侧由于被花篮缝隙遮挡导致制绒不充分，出绒效果和清洗效果差而产生的，制备非晶硅薄膜和透明导电膜(tco导电膜)后pn结被破坏，pl下有缺陷呈现篮齿状的黑斑，俗称篮齿印，造成异质结电池降级，影响良率和增加生产成本，传统的解决办法是用碱液清洗浸泡花篮或者对花篮进行改进，碱液浸泡花篮通过多次实验本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种减少异质结电池篮齿印的方法，其特征在于，通过将载有硅片的花篮依次经过如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种减少异质结电池篮齿印的方法，其特征在于：所述S1-S8中的液体均为溢流状态且辅助有鼓泡工艺，所述一次制绒液为浓度为3-5％氢氧化钾、0.1-1.5％制绒添加剂；

3.根据权利要求2所述的一种减少异质结电池篮齿印的方法，其特征在于：所述制绒添加剂包括制绒催化剂、表面活性剂以及绒面修饰剂。

4.根据权利要求3所述的一种减少异质结电池篮齿印的方法，其特征在于：所述制绒添加剂由0.01-0.1wt％制绒催化剂、1-2wt％表面活性剂、1.5-2....

【技术特征摘要】

1.一种减少异质结电池篮齿印的方法，其特征在于，通过将载有硅片的花篮依次经过如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种减少异质结电池篮齿印的方法，其特征在于：所述s1-s8中的液体均为溢流状态且辅助有鼓泡工艺，所述一次制绒液为浓度为3-5％氢氧化钾、0.1-1.5％制绒添加剂；

3.根据权利要求2所述的一种减少异质结电池篮齿印的方法，其特征在于：所述制绒添加剂包括制绒催化剂、表面活性剂以及绒面修饰剂。

4.根据权利要求3所述的一种减少异质结电池篮齿印的方法，其特征在于：所述制绒添加剂由0.01-0.1wt％制绒催化剂、1-2wt％表面活性剂、1.5-2.5wt％绒面修饰剂，其余组分为纯水组成。

5.根据权利要求3所述的一种减少异质结电池篮齿印的方法，其特征在于：所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建建，崔喜文，黄迎春，徐国军，
申请(专利权)人：江苏新璟宏能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：