承载装置及晶圆刻蚀设备制造方法及图纸

一种承载装置及晶圆刻蚀设备，承载装置包括：静电吸附盘，静电吸附盘包括底座以及凸立于底座上的支撑柱，支撑柱的顶部用于承载晶圆；磁场补偿部件，设置于底座上方且环绕支撑柱，且磁场补偿部件的环绕方向与底座表面相垂直，在平行于底座表面的方向，磁场补偿部件对等离子产生的力的方向为第二方向，第二方向与第一方向之间具有夹角；绝缘环，环绕包围静电吸附盘以及磁场补偿部件，且绝缘环的内壁位于磁场补偿部件的顶部，支撑柱侧壁、底座的顶部以及绝缘环内壁围成封闭空间，磁场补偿部件设置于封闭空间内。等离子体对刻蚀所产生的图案的侧壁造成损伤的概率大大降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种承载装置及晶圆刻蚀设备。

技术介绍

1、半导体刻蚀技术通常分为湿法刻蚀(wet etching)和干法刻蚀(dry etching)两类，它是半导体制造工艺、微电子制造工艺以及微纳米级制造工艺中相当重要的步骤。其中，干法刻蚀由于可以使电路图形变得更加精细，因此得到越来越广泛的使用。

2、但是，干法刻蚀工艺的性能仍有待提高。

技术实现思路

1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种承载装置及晶圆刻蚀设备，有利于进一步提高刻蚀工艺的性能。

2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种用于晶圆刻蚀设备的承载装置，所述承载装置用于与顶部感应线圈相配合以实现对晶圆的刻蚀，在平行于所述底座表面的方向，所述顶部感应线圈对等离子体产生的力的方向为第一方向，所述承载装置包括：静电吸附盘，所述静电吸附盘包括底座以及凸立于所述底座上的支撑柱，所述支撑柱的顶部用于承载晶圆；磁场补偿部件，设置于所述底座上方且环绕所述支撑柱，且所述磁场补偿部件的环绕方向与所述底座表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于晶圆刻蚀设备的承载装置，所述承载装置用于与顶部感应线圈相配合以实现对晶圆的刻蚀，在平行于所述底座表面的方向，所述顶部感应线圈对等离子体产生的力的方向为第一方向，所述承载装置包括：

2.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述磁场补偿部件包括螺线圈。

3.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括：固定环，环绕所述支撑柱，且凸立于所述支撑柱露出的所述底座上，所述磁场补偿部件放置于所述固定环顶部。

4.如权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述固定环中设置有升降部件，所述升降部件用于调整所述磁场补偿部件与所述晶圆的距离。<...

【技术特征摘要】

1.一种用于晶圆刻蚀设备的承载装置，所述承载装置用于与顶部感应线圈相配合以实现对晶圆的刻蚀，在平行于所述底座表面的方向，所述顶部感应线圈对等离子体产生的力的方向为第一方向，所述承载装置包括：

2.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述磁场补偿部件包括螺线圈。

3.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括：固定环，环绕所述支撑柱，且凸立于所述支撑柱露出的所述底座上，所述磁场补偿部件放置于所述固定环顶部。

4.如权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述固定环中设置有升降部件，所述升降部件用于调整所述磁场补偿部件与所述晶圆的距离。

5.如权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述固定环的材料包括石英和陶瓷中的一种或两种。

6.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括：插入环，环绕所述支撑柱，所述插入环与所述支撑柱的侧壁相接触，且所述插入环的顶部低于所述支撑柱的顶部，所述插入环的顶部与所述绝缘环的顶部相齐平；

7.如权利要求6所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括：聚焦环，位于所述插入环和所述绝缘环的顶部，所述聚焦环绕包围所述支撑柱，且所述聚焦环与所述支撑柱的侧壁相接触。

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【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，赵庆，苏伦，尤伟芳，雷妍琪，魏思琪，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：