【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波介电，具体涉及一种利用二氧化钛、短切e-玻纤作为填料的高介电低热膨胀系数聚四氟乙烯基复合基板及其制备方法。
技术介绍
1、近年来，随着全球卫星定位系统等现代通信技术的飞速发展，对于产品不同性能的需求也越来越高。目前，将具有易加工性的有机高分子聚合物和具有一定电学性能及力学性能的无机陶瓷相结合的微波复合介质基板成为广大学者研究的热门。因其兼具有机聚合物和无机陶瓷的性能及优点，所以更易制备出低吸水率、低介电损耗、低热膨胀系数的高性能微波复合介质基板。聚四氟乙烯相比于其他一些有机聚合物来说具有更低的介电损耗和更稳定的介电常数，是作为复合介质基板基底的最佳选择之一。
2、聚四氟乙烯的介电常数很低，若要制备高介电常数的复合基板，需要选择一种高介电常数的陶瓷。热膨胀系数高会导致温度高的时候，聚四氟乙烯基板和其覆铜板上的铜箔之间会存在很大的应力，这就会导致覆铜板制备困难以及后续使用中电路损坏等问题，所以还需要降低复合基板的热膨胀系数。单独填充高介电常数的陶瓷很难降低聚四氟乙烯基复合基板的热膨胀系数，所以选择热膨胀系数低的...
【技术保护点】
1.一种高介电低热膨胀系数聚四氟乙烯基复合基板，其特征在于，所述复合基板的组分及各组分在复合基板中所占重量份为：
2.根据权利要求1所述的高介电低热膨胀系数的复合基板，其特征在于，所述TiO2瓷粉填料的粒径为3～6μm，介电常数为90～100。
3.根据权利要求1所述的高介电低热膨胀系数的复合基板，其特征在于，所述聚四氟乙烯树脂为聚四氟乙烯乳液，聚四氟乙烯质量分数为59.9％。
4.根据权利要求1所述的高介电低热膨胀系数的复合基板，其特征在于，所述复合基板的制备过程为：
5.根据权利要求4所述的高介电低热膨胀系数的复合基...
【技术特征摘要】
1.一种高介电低热膨胀系数聚四氟乙烯基复合基板，其特征在于，所述复合基板的组分及各组分在复合基板中所占重量份为：
2.根据权利要求1所述的高介电低热膨胀系数的复合基板，其特征在于，所述tio2瓷粉填料的粒径为3～6μm，介电常数为90～100。
3.根据权利要求1所述的高介电低热膨胀系数的复合基板，其特征在于，所述聚四氟乙烯树脂为聚四氟乙烯乳液，聚四氟乙烯质量分数为59.9％。
4.根据权利要求1所述的高介电低热膨胀系数的复合基板，其特征在于，所述复合基板的制备过程为：
5.根据权利要求4所述的高介电低热膨胀系数的复合基板制备方法，其特征在于，所述偶联剂为全氟辛基三乙氧基硅烷(f8261)、苯基三甲氧基硅烷(z6124)和甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(kh570)、γ-氨丙基三乙氧基硅烷(kh-550)中的一种或几种。
6.根据权利要求4所述的高介电低热膨胀系数的复合基板制备方法，其特征在于，所述分散剂为高分子苯乙烯-丙烯酸改性聚合物(分散剂5027-h)、高分子苯乙烯-丙烯酸-聚合物的胺烷基聚合物(分散剂1996)、二丙二醇甲醚(we-d2792)中的一种或几种。
7.根据权利要求4所述的高介电低热膨胀系数的复合基板制备方法，其特征在于，所述消泡剂为磷酸三丁脂、聚醚型消泡剂、甲基硅油、二异丁基甲醇中的一种或几种。
8.根据权利要求4所述的高介...
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