发光二极管及其制作方法技术

本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述第一半导体层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，所述第一子层、所述第四子层和所述第五子层为掺杂Si的GaN层，所述第二子层为掺杂Mg的SiN层，所述第三子层为掺杂Si的MgN层，所述第一子层中的Si的掺杂浓度的取值范围为10<supgt;19</supgt;～10<supgt;21</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;，所述第四子层和所述第五子层中的Si的掺杂浓度低于所述第一子层。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种发光二极管及其制作方法。

技术介绍

1、发光二极管是一种可以发光的半导体器件，常用于照明、显示等领域。

2、相关技术提供了一种发光二极管的结构，包括：依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中，第一半导体层为n型gan层。

3、然而，相关技术中提供n型gan层中的si的掺杂浓度较低，不利于发光二极管的发光效率。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种发光二极管及其制作方法，可以提升发光二极管的发光效率。所述技术方案如下：

2、一方面，提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：

3、依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

4、所述第一半导体层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，所述第一子层、所述第四子层和所述第五子层为掺杂si的gan层，所述第二子层为掺杂mg的sin层，所述第三子层为掺杂si的mgn层，所述第一子层中的si的掺杂浓度的取值范围为1019～1021cm-3本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一子层(11)中Si的掺杂浓度为1019～1020cm-3，所述第二子层(12)的Mg的掺杂浓度为1017～1018cm-3，所述第三子层(13)中Si的掺杂浓度为1017～1018cm-3，所述第四子层(14)中Si的掺杂浓度为1018～1019cm-3，所述第五子层(15)中Si的掺杂浓度为1017～1018cm-3。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第四子层(14)与所述第一子层(11)厚度之比为1/5～1，所述第五子层(15)与所...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一子层(11)中si的掺杂浓度为1019～1020cm-3，所述第二子层(12)的mg的掺杂浓度为1017～1018cm-3，所述第三子层(13)中si的掺杂浓度为1017～1018cm-3，所述第四子层(14)中si的掺杂浓度为1018～1019cm-3，所述第五子层(15)中si的掺杂浓度为1017～1018cm-3。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第四子层(14)与所述第一子层(11)厚度之比为1/5～1，所述第五子层(15)与所述第一子层(11)的厚度之比为1/10～1/5。

4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一子层(11...

【专利技术属性】
技术研发人员：康婷，洪威威，陆香花，梅劲，
申请(专利权)人：京东方华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：