一种无金属残留、窄分子量分布的聚苯乙烯衍生物光刻胶树脂前体的制备方法及应用技术

技术编号:41705816 阅读:17 留言:0更新日期:2024-06-19 12:37
本发明专利技术属于光刻胶树脂技术领域,具体涉及一种无金属残留、窄分子量分布的聚苯乙烯衍生物光刻胶树脂前体的制备方法及应用。本发明专利技术采用有机催化的活性自由基聚合技术(Reversible Complexed Mediated Polymerization,RCMP),选择特殊结构设计的有机碘代物作为自由基引发剂,四丁基碘化铵作为有机催化剂,通过优化聚合反应条件制备得到一系列不同分子量范围和分子量分布的光刻胶用树脂前体聚苯乙烯衍生物,从源头上避免了金属离子和含硫变价基团的残留,制备工序简单,后续不需要提纯除杂工艺可直接使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光刻胶树脂,具体涉及一种无金属残留、窄分子量分布的聚苯乙烯衍生物光刻胶树脂前体的制备方法及应用


技术介绍

1、光刻胶又称光致抗蚀剂,是一种对光敏感的混合液体,包括光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂,作为微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,主要应用于电子工业和印刷工业领域。

2、随着光刻技术的不断进步,半导体图形分辨率的要求越来越高,对光刻胶的纯度要求也不断提升。光刻胶纯度控制的核心内容之一是金属离子含量的控制,微量的金属离子含量会产生可动离子玷污,引起器件的阈值电压改变,对加工器件的性能产生不利影响。cn201610316901.0公开了一种利用atrp活性自由基聚合方法合成分子量窄分布的聚羟基苯乙烯类聚合物的方法,但该法制备的聚羟基苯乙烯聚合物中含有ppm级别的铜金属离子,不能直接用于下一步的光刻工艺,还需通过金属离子和羧酸基团的非共价键作用除去所得聚羟基苯乙烯类中的金属离子,不仅制备工艺复杂,增加了制造成本,而且金属离子也不能完全去除,产品中依然存在ppb级别的金属残留。

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【技术保护点】

1.一种无金属残留、窄分子量分布的聚苯乙烯衍生物光刻胶树脂前体的制备方法,其特征在于,所述方法包括,

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述有机碘引发剂为单官能团有机碘引发剂;所述催化剂为含有碘负离子的化合物;所述偶氮类引发剂为偶氮二异丁腈。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述有机碘引发剂为2-碘-2-甲基丙腈或2-碘异丁酸乙酯;所述催化剂为四正丁基碘化铵。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述4-乙酰氧基苯乙烯、有机碘引发剂、四正丁基碘化铵以及偶氮二异丁腈的质量比为(3.26-3.36) : (0.01-0....

【技术特征摘要】

1.一种无金属残留、窄分子量分布的聚苯乙烯衍生物光刻胶树脂前体的制备方法,其特征在于,所述方法包括,

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述有机碘引发剂为单官能团有机碘引发剂;所述催化剂为含有碘负离子的化合物;所述偶氮类引发剂为偶氮二异丁腈。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述有机碘引发剂为2-碘-2-甲基丙腈或2-碘异丁酸乙酯;所述催化剂为四正丁基碘化铵。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述4-乙酰氧基苯乙烯、有机碘引发剂、四正丁基碘化铵以及偶氮二异丁腈的质量比为(3.26-3.36) : (0.01-0.05) : (0.02-0.08) : (0.002-0.010);所述步骤(1)中反应温度为80-110℃,反...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡克苓马正峰孙鑫苏成坤孙金明
申请(专利权)人:烟台先进材料与绿色制造山东省实验室
类型:发明
国别省市:

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