一种基准补偿电路及电子设备制造技术

本申请提出一种基准补偿电路及电子设备，包括：信号生成模块，所述信号生成模块基于温度变化对内部电压进行调整，生成对应的基准信号；补偿模块，所述补偿模块与所述信号生成模块连接，通过生成补偿信号消除所述信号生成模块中由温度偏差引起的干扰，使所述基准信号与温度不相关。通过补偿模块生成的补偿信号消除由正温度系数电压与负温度系数电压之间的比例偏差引起的干扰，使基准信号与温度不相关，极大地提高系统测量和校准的精度，且结构简单，操作简便，具有广泛的适用性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路设计与应用，尤其涉及一种基准补偿电路及电子设备。

技术介绍

1、带隙基准电路通常用于为后级电路提供基准信号，该参考信号要求与负载、功率供给、温度漂移、时间等因素无关，能保持始终恒定的电压。然而，现有的带隙基准电路极容易产生正温度系数电压与负温度系数电压之间的比例偏差，导致基准信号很难做到与温度不相关，从而影响系统测量和校准的精度。

2、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种基准补偿电路及电子设备。

2、本申请第一方面实施例提出了一种基准补偿电路，包括：

3、信号生成模块，所述信号生成模块基于温度变化对内部电压进行调整，生成对应的基准信号；

4、补偿模块，所述补偿模块与所述信号生成模块连接，通过生成补偿信号消除所述信号生成模块中由温度偏本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基准补偿电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基准补偿电路，其特征在于，所述信号生成模块包括第一单元及第二单元，其中，所述第一单元与工作电压连接，生成电压变化与温度变化呈正相关性的第一信号；所述第二单元的输出端与所述第一单元的输入端连接，对所述第一信号的电压变化与温度变化的关系进行取反操作，生成所述基准信号。

3.根据权利要求2所述的基准补偿电路，其特征在于，所述第一单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一晶体管、第二晶体管及第一电阻，其中，所述第一PMOS管的源极与工作电压连...

【技术特征摘要】

1.一种基准补偿电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基准补偿电路，其特征在于，所述信号生成模块包括第一单元及第二单元，其中，所述第一单元与工作电压连接，生成电压变化与温度变化呈正相关性的第一信号；所述第二单元的输出端与所述第一单元的输入端连接，对所述第一信号的电压变化与温度变化的关系进行取反操作，生成所述基准信号。

3.根据权利要求2所述的基准补偿电路，其特征在于，所述第一单元包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第一nmos管、第二nmos管、第一晶体管、第二晶体管及第一电阻，其中，所述第一pmos管的源极与工作电压连接；所述第二pmos管的源极与所述第一pmos管的源极连接，所述第二pmos管的栅极与所述第一pmos管的栅极及漏极连接；所述第三pmos管的源极与所述第一pmos管的漏极连接；所述第四pmos管的源极与所述第二pmos管的漏极连接，所述第四pmos管的栅极与所述第三pmos管的栅极及漏极连接；所述第一nmos管的漏极与所述第三pmos管的漏极连接；所述第二nmos管的漏极与所述第四pmos管的漏极连接，所述第二nmos管的栅极与所述第一nmos管的栅极及所述第四pmos管的漏极连接；所述第一晶体管的发射极与所述第一nmos管的源极连接；所述第二晶体管的集电极与所述第二nmos管的源极连接，所述第二晶体管的基极与所述第一晶体管的积极连接，所述第二晶体管的发射极与参考地连接；所述第一电阻连接于所述第一晶体管的集电极与所述第二晶体管的发射极之间。

4.根据权利要求3所述的基准补偿电路，其特征在于，所述第二单元包括第二电阻、第三晶体管、第五pmos管及第六pmos管，其中，所述第五pmos管的源极与工作电压连接，所述第五pmos管的栅极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：李响，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：