一种用于光电催化的Pt掺杂多相In2S3复合薄膜材料的制备方法技术

本发明专利技术公开一种用于光电催化的Pt掺杂多相In<subgt;2</subgt;S<subgt;3</subgt;复合薄膜材料的制备方法。该方法首先将氯化铟与硫脲置于去离子水中，配制In<subgt;2</subgt;S<subgt;3</subgt;生长液，以将充分搅拌后的溶液转移到聚四氟乙烯内胆中，经过水热法以导电玻璃为衬底，通过水热法形成In<subgt;2</subgt;S<subgt;3</subgt;多相薄膜材料。随后，通过电化学沉积的方法在多相In<subgt;2</subgt;S<subgt;3</subgt;复合薄膜上沉积Pt，形成Pt‑In<subgt;2</subgt;S<subgt;3</subgt;复合薄膜材料。Pt‑In<subgt;2</subgt;S<subgt;3</subgt;光电催化材料制备过程简单、无毒无害，在模拟太阳光照射下，表现出优异的光电性能，在1.23V vs RHE时候，电流密度达到0.70mA/cm<supgt;2</supgt;。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

0、技术背景

1、为了减少化石燃料造成的环境污染和资源短缺，满足可持续发展的要求，充分利用绿色高效的可再生能源已成为近年来的研究热点。最近，由于绿色、清洁、密度低、热量和可持续能源等优势，氢能作为下一代能源载体受到了关注，在能源转型中占有不可替代的地位。氢的来源广泛，光电化学(pec)水分解产氢是一种很有前途的制氢方法，可以有效利用太阳光这种取之不尽用之不竭的清洁能源。光电极材料的选择对pec性能起着关键作用，因此，开发一种路绿色高效的新型光电材料并将其应用于光电催化产氢，对新能源材料的开发和应用具有十分重要的现实意义。

2、in2s3作为一种重要的iii-vi族半导体材料，禁带宽度为2.0～2.2ev，利用可见光甚至是太阳光作为光源进行光催化反应因为其具有优异的电子、光学、光电子学和半导体敏化性能而得到了广泛的关注。通过调整水热时间，可以使得in2s3形成立方相与四方相共存的多相结构，可以很好的优化载流子传输，通道促进载流子的转移。pt作为一种金属离子，可以显著提高电子的转移能力。并且，pt掺杂in2s3复合薄膜材料形本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于光电催化的Pt掺杂多相In2S3复合薄膜材料的制备方法。其特征在于：所述的制备方法包括按顺序进行的下列步骤：

2.根据权利要求1所述的用于光电催化的Pt掺杂多相In2S3复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，氯化铟与硫脲中含有的In和S元素的浓度比例要严格控制为2∶3、搅拌时间别为0.5～1h。

3.根据权利要求1所述的用于光电催化的Pt-In2S3复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，水热反应温度和时间分别为200℃和7.5-8.5h。烘箱干燥的温度40～80℃，干燥5～20min。

4.根据权利要求1所述的用...

【技术特征摘要】

1.一种用于光电催化的pt掺杂多相in2s3复合薄膜材料的制备方法。其特征在于：所述的制备方法包括按顺序进行的下列步骤：

2.根据权利要求1所述的用于光电催化的pt掺杂多相in2s3复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，氯化铟与硫脲中含有的in和s元素的浓度比例要严格控制为2∶3、搅拌时间别为0.5～1h。

3.根据权利要求1所述的用于光电催化...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志锋，陈兴菲，阮梦楠，
申请(专利权)人：天津城建大学，
类型：发明
国别省市：