B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种B<subgt;4</subgt;C@Mg<subgt;2</subgt;B<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;核壳结构陶瓷粉体及其制备方法，包括如下步骤：(1)将碳化硼粉末、氧化镁粉末和有机溶剂混合，超声分散1‑2h，得到混合物料；(2)将所述混合物料平铺后高温烘干并研磨0.5‑2h，得到前驱体粉末；(3)将所述前驱体粉末置于氧化铝坩埚内，将氧化铝坩埚置于管式炉中，于空气气氛下煅烧0.5‑1.5h；(4)切换为氮气气氛，继续升温煅烧0.5‑1h，再经高温退火即得B<subgt;4</subgt;C@Mg<subgt;2</subgt;B<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;陶瓷粉体。本发明专利技术制备的陶瓷粉体可在较低温度下烧结成型，具有较高的力学性能，降低了碳化硼复合材料的烧结成本，提高了其韧性。同时，本发明专利技术可应用于抛光磨削等工业场景，拓宽了碳化硼材料的应用范围，在磨削加工领域，具有一定的磨削加工应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料合成，具体涉及一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体及其制备方法。

技术介绍

1、碳化硼材料是一种优异的陶瓷材料，具有各种优异的性能，其特点是非常坚硬，有较好的热稳定性，能吸收热中子，但抗冲击性能差，脆性大。

2、目前，碳化硼材料的大面积应用仍旧面临一定的问题：首先，由于b4c本质是脆性陶瓷，一般采用热压烧结法来制备，但制备时考虑到b4c的抗热震性较差，因此降温要缓慢且热压温度不宜过高，否则会出现b4c-c共晶液相，同时热压温度也不宜过低，否则粉体密度低，因此b4c烧结条件苛刻，成本高昂，且单相b4c陶瓷韧性低，机加工能力差。其次，利用碳化硼陶瓷其硬度大的特性，可以用作磨料、切削刀具等，但在磨削加工中，由碳化硼抛光的材料表面存在加工面粗糙度高，造成适用的加工材料很少，不利于工业上大面积应用。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足之处，提供了一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体及其制备方法，解决了上述
技术介绍
中的问题。

2、本专利技术解决其本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述碳化硼粉末的粒度为5-10μm，氧化镁粉末的粒度为50-100nm。

3.根据权利要求1所述的一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述碳化硼粉末、氧化镁粉末的质量比为0.2g:0.12-0.15g。

4.根据权利要求1所述的一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述有机溶剂包括...

【技术特征摘要】

1.一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述碳化硼粉末的粒度为5-10μm，氧化镁粉末的粒度为50-100nm。

3.根据权利要求1所述的一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述碳化硼粉末、氧化镁粉末的质量比为0.2g:0.12-0.15g。

4.根据权利要求1所述的一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述有机溶剂包括乙醇或异丙醇。

5.根据权利要求1所述的一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，平铺后的粉体层厚度不大于1mm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：李东旭，胡宁飞，陆静，
申请(专利权)人：华侨大学，
类型：发明
国别省市：