【技术实现步骤摘要】
本技术涉及pecvd设备，具体涉及一种用于pecvd工艺环境的硅片承载和传输装置。
技术介绍
1、pecvd是一种利用等离子体在较低温度下进行沉积的一种薄膜生长技术。 等离子体中大部分原子或分子被电离，通常使用射频 (rf) 产生，但也可以通过交流电 (ac) 或直流电 (dc) 在两个平行电极之间放电产生。pecvd 是一种基于真空的工艺，通常在 <0.1torr 的压力下进行，允许相对较低的基板温度，从室温到 350°c。通过利用等离子体为这些沉积反应的发生提供能量，而不是将基板加热到很高的的温度来驱动这些沉积反应。由于pecvd 沉积温度较低，沉积的薄膜应力较小，结合力更强。
2、pecvd的多功能性使其能够均匀地应用于太阳能电池板或光学玻璃等相对较宽的表面区域，在这些区域，光学膜层的折射质量可以通过改变等离子体来非常精细地调整，以实现极高程度的过程控制。pecvd镀膜需要用载板承载基板材料，不同的行业不同的生产节拍需要用不同的载板。现有的载板存在以下问题：载板制造成本高；载板使用稳定性低，产出良品率低；载板使用...
【技术保护点】
1.一种用于PECVD工艺环境的硅片承载和传输装置，其特征在于，包括框体，所述框体由后板、长侧条板和前板拼接组成，在所述框体内设置第一长中条板和第二长中条板，所述第一长中条板和第二长中条板交叉拼接将所述框体分割成四个相同的区域，在整个框体上相应的位置安装张紧丝，该张紧丝横向和纵向交错，形成阵列排布的铝托框，在所述长侧条板的下部嵌装侧短衬底和衬底，侧短衬底和衬底拼接组成一个主部耐磨过渡组件，在所述第二长中条板的底部同样嵌装由过渡板和长衬底组成中部耐磨过渡组件。
2.根据权利要求1所述的用于PECVD工艺环境的硅片承载和传输装置，其特征在于，在所述第一长中条板...
【技术特征摘要】
1.一种用于pecvd工艺环境的硅片承载和传输装置，其特征在于，包括框体，所述框体由后板、长侧条板和前板拼接组成，在所述框体内设置第一长中条板和第二长中条板，所述第一长中条板和第二长中条板交叉拼接将所述框体分割成四个相同的区域，在整个框体上相应的位置安装张紧丝，该张紧丝横向和纵向交错，形成阵列排布的铝托框，在所述长侧条板的下部嵌装侧短衬底和衬底，侧短衬底和衬底拼接组成一个主部耐磨过渡组件，在所述第二长中条板的底部同样嵌装由过渡板和长衬底组成中部耐磨过渡组件。
2.根据权利要求1所述的用于pecvd工艺环境的硅片承载和传输装置，其特征在于，在所述第一长中条板和第二长中条板的相应位置安装丝张紧组件。
3.根据权利要求1所述的用于pecvd工艺环境的硅片承载和传输装置，其特征在于，在所述后板...
【专利技术属性】
技术研发人员：张迎春，赵志强，
申请(专利权)人：捷造科技宁波有限公司，
类型：新型
国别省市：
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