【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于铜合金，具体涉及一种微合金化高强高导cu-ni-si合金材料及制备方法，该材料可应用于集成电路领域。
技术介绍
1、引线框架铜带是用于制造半导体、集成电路引线框架和新型接线端子的专用合金带材，在集成电路内部起着支撑芯片、连接外部电路和散热的作用，是与集成电路配套的关键材料。
2、为保证集成电路的可靠性和持久性，对引线框架材料的选择就更加严格。从性能方面要求不仅要有高的尺寸精度、高的表面质量和高的板形平整要求，而且还需具有良好的导热、导电性能，高的强度、硬度和高的软化温度，以及良好的耐热性、抗氧化性、耐蚀性、焊接性、塑封性能、反复弯曲性能和加工成型性能等。
3、然而，cu合金的导电性与高强度通常是一对矛盾体，即添加合金化组元提高cu合金强度的同时会降低合金的导电性。现有技术常通过添加微量元素和调整生产工艺或是依靠二者协同来增强cu-ni-si合金材料的强度和导电性能，但依然普遍存在一方面的性能提升而导致另一方面性能减弱的问题。
4、中国专利技术专利cn201811066658.7公开了一种...
【技术保护点】
1.一种微合金化高强高导Cu-Ni-Si合金材料，其特征在于，化学组成配比包括：Ni：1.8-3.5wt％，Si：0.3-0.9wt％，Nb：0.08-0.16wt％，Pr：0.01-0.09wt％，余量为Cu。
2.根据权利要求1所述的一种微合金化高强高导Cu-Ni-Si合金材料，其特征在于，所述Cu的含量不低于95.3wt％。
3.一种微合金化高强高导Cu-Ni-Si合金材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种微合金化高强高导Cu-Ni-Si合金材料的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种微合金化高强高导cu-ni-si合金材料，其特征在于，化学组成配比包括：ni：1.8-3.5wt％，si：0.3-0.9wt％，nb：0.08-0.16wt％，pr：0.01-0.09wt％，余量为cu。
2.根据权利要求1所述的一种微合金化高强高导cu-ni-si合金材料，其特征在于，所述cu的含量不低于95.3wt％。
3.一种微合金化高强高导cu-ni-si合金材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种微合金化高强高导cu-ni-si合金材料的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：
5.根据权利要求3所述的一种微合金化高强高导cu-ni-si合金材料的制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述加热温度为1200-1400℃，所述浇铸温度为1100-1200℃。
6.根据权利要求4所述的一种微合金化高强高导...
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