改善TOPcon电池钝化和接触的方法技术

技术编号:41682947 阅读:19 留言:0更新日期:2024-06-14 15:35
本公开提供一种改善TOPcon电池钝化和接触的方法,其包括:对去除硼硅玻璃层的硅片背面进行图案化激光氧化处理;以及对激光氧化后的硅片背面进行湿法化学碱抛光。所述方法通过对Topcon电池背面衬底进行图案化激光氧化处理,在对应丝网栅线印刷区域形成一层氧化层,进一步利用碱抛添加剂对氧化层的保护作用,实现栅线印刷区域和非栅线区域的差异化处理。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及太阳能电池,特别涉及一种改善topcon电池钝化和接触的方法。


技术介绍

1、目前,对于硅光伏电池,晶硅电池表面复合成为制约其效率的主要因素,表面钝化技术尤为重要。topcon作为一种新型钝化技术,其氧化层的钝化作用和高掺杂多晶硅层的场钝化作用可以极大地降低少子复合速率,能够有效降低表面复合和金属接触复合,为电池转换效率进一步提升提供了更大的潜力。

2、topcon电池中,衬底背面的粗糙度会影响隧穿氧化层和掺杂多晶硅的沉积效果,背面衬底粗糙度越小,越平整,隧穿氧化层和多晶硅沉积更加均匀;同时衬底背面粗糙度也会影响金属和半导体的接触,粗糙度越大,比表面积越大,接触越好。然而,现有工艺中栅线区域和非栅线区域大小及粗糙度无明显差异,无法做到差异腐蚀,因此很难做到钝化和接触的平衡。


技术实现思路

1、本公开提供一种改善topcon电池钝化和接触的方法,其包括:

2、对去除硼硅玻璃层的硅片背面进行图案化激光氧化处理;以及

3、对激光氧化后的硅片背面进行湿法化学碱抛光。...

【技术保护点】

1.一种改善TOPcon电池钝化和接触的方法,其包括:

2.根据权利要求1所述的改善TOPcon电池钝化和接触的方法中,所述激光氧化处理利用激光束在硅片表面进行氧化反应,处理区域对应丝网印刷背面栅线区域。

3.根据权利要求1所述的改善TOPcon电池钝化和接触的方法中,所述激光氧化处理中使用的激光为纳秒或皮秒激光,激光波长为500nm至1100nm,激光功率控制在30W至200W。

4.根据权利要求1所述的改善TOPcon电池钝化和接触的方法中,所述激光氧化处理中激光加工的速度为10m/s至50m/s,作用于栅线区域的激光宽度为50μm至200μm。<...

【技术特征摘要】

1.一种改善topcon电池钝化和接触的方法,其包括:

2.根据权利要求1所述的改善topcon电池钝化和接触的方法中,所述激光氧化处理利用激光束在硅片表面进行氧化反应,处理区域对应丝网印刷背面栅线区域。

3.根据权利要求1所述的改善topcon电池钝化和接触的方法中,所述激光氧化处理中使用的激光为纳秒或皮秒激光,激光波长为500nm至1100nm,激光功率控制在30w至200w。

4.根据权利要求1所述的改善topcon电池钝化和接触的方法中,所述激光氧化处理中激光加工的速度为10m/s至50m/s,作用于栅线区域的激光宽度为50μm至200μm。

5.根据权利要求1所述的改善topcon电池钝化和接触的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员:李新岳潘冬新朱娜乐雄英陈如龙杨阳胡传红陶龙忠
申请(专利权)人:云南润阳世纪光伏科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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