半导体材料生长速率的测试方法技术

本发明专利技术提供一种半导体材料生长速率的测试方法，包括：对半导体衬底层进行刻蚀之后，在半导体衬底层的表面交替外延第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层均包括相同的主半导体材料；第一半导体层的导电类型和第二半导体层的导电类型不同；或者，第一半导体层还包括第一掺杂离子，第二半导体层还包括第二掺杂离子，第一掺杂离子的浓度和第二掺杂离子的浓度不同；沿晶向进行切割，形成切割面；对切割面进行显微镜测试，获取不同晶向对应的第一半导体层和/或第二半导体层的测试厚度；根据不同晶向对应的测试厚度、以及第一半导体层和/或第二半导体层的外延时间获取不同晶向的生长速率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半导体材料生长速率的测试方法。

技术介绍

1、在现代半导体激光器产业中，通过二次外延技术在传统的激光器结构中来引入周期性的一维光栅和二维光子晶体等复杂微纳结构，是一种调控光场模式并制造各种高性能激光器的通用方法。

2、不同于一次外延在具有特定晶向/晶面的二维(2d)平面衬底上进行材料生长，二次外延往往是在凹凸不平的三维(3d)微纳结构表面上进行材料生长。3d结构往往具有多个不同方向的晶面，二次外延过程中，材料会同时基于不同晶面沿不同晶向以不同速率生长。由于生长速率的各向异性，各晶面的相对尺寸在随时间不停的变化，导致三维结构的表面形貌也在不停的演变。定量表征并动态控制各晶向的生长速率，是实现精准调控二次外延后3d结构的形貌与尺寸的不可或缺的手段。

技术实现思路

1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于如何精确测量各晶向的生长速率的问题，从而提供一种半导体材料生长速率的测试方法。

2、本专利技术提供一种半导体材料生长速率的测试方法，包括：对半导体衬底层进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体材料生长速率的测试方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体材料生长速率的测试方法，基于第一半导体层和第二半导体层的导电性能差异对所述切割面进行显微镜测试，获取不同晶向对应的所述第一半导体层的测试厚度；获取第一半导体层的外延时间；根据不同晶向对应的所述第一半导体层的测试厚度和第一半导体层的外延时间获取不同晶向的生长速率；

3.根据权利要求1所述的半导体材料生长速率的测试方法，其特征在于，对所述切割面进行显微镜测试包括：对所述切割面进行扫描电子显微镜测试；或者，对所述切割面进行透射电子显微镜测试；或者，对所述切割面进行原子力显微镜测试。<...

【技术特征摘要】

1.一种半导体材料生长速率的测试方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体材料生长速率的测试方法，基于第一半导体层和第二半导体层的导电性能差异对所述切割面进行显微镜测试，获取不同晶向对应的所述第一半导体层的测试厚度；获取第一半导体层的外延时间；根据不同晶向对应的所述第一半导体层的测试厚度和第一半导体层的外延时间获取不同晶向的生长速率；

3.根据权利要求1所述的半导体材料生长速率的测试方法，其特征在于，对所述切割面进行显微镜测试包括：对所述切割面进行扫描电子显微镜测试；或者，对所述切割面进行透射电子显微镜测试；或者，对所述切割面进行原子力显微镜测试。

4.根据权利要求1所述的半导体材料生长速率的测试方法，其特征在于，所述第一半导体层的导电类型和所述第二半导体层的导电类型不同，包括：

5.根据权利要求1所述的半导体材料生长速率的测试方法，其特征在于，所述第一掺杂离子的浓度和所述第二掺杂离子的浓度不同，包括：所述第一掺杂离子的浓度大于所述第二掺杂离子的浓度。

6.根据权利要求5所述的半导体材料生长速率的测试方法，其特征在于，所述第一掺杂离子的浓度为所述第二掺杂离子的浓度的10倍~10000倍。

7.根据权利要求1所述的半导体材料生长速率的测试方法，其特征在于，所述第一掺杂离子的浓度和所述第二掺杂离子的浓度不同，包括：所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊，张钒璐，李顺峰，赵武，杨文帆，
申请(专利权)人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：