本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、射频电路、通信装置，涉及半导体技术领域，用于制备得到高性能半导体结构。半导体结构例如可以是HBT器件，半导体结构包括：衬底和设置在衬底上的本征基区、外基区以及发射区。其中，衬底，包括埋藏于衬底内的集电区、第一隔离结构以及辅助外基区；衬底包括埋藏于衬底内的集电区、第一隔离结构以及辅助外基区；集电区设置在本征基区的下方；辅助外基区设置在外基区下方；第一隔离结构包裹辅助外基区的侧面和底面，与辅助外基区的侧面和底面接触；第一隔离结构位于辅助外基区靠近集电区一侧的部分的厚度相等。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
pct国内申请，权...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐向明，简中祥，王小洪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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