【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制作工艺，更特定言之，涉及一种可改善接触件管道缺陷(piping)的半导体制作工艺。
技术介绍
1、现今的消费性电子产品正面临多样少量的产品设计需求及挑战，而低功耗的嵌入式非易失性存储器(envm)的技术，如嵌入式闪存存储器(eflash)，正好可以满足这类市场的产品需求。在微控制器(mcu)、系统单芯片(soc)、物联网(iot)、车用电子、工业控制、以及特定应用集成电路(asic)等产品与应用的蓬勃发展下，嵌入式非易失性存储器具有非常庞大的市场需求。
2、然而，嵌入式存储器整合在逻辑制作工艺中会遇到许多问题，导致其尺寸的微缩变得越来越困难。举例言之，在尺寸微缩的过程中，嵌入式存储器的栅极之间的间隙会变得非常微小，加之如果间隔壁的厚度较厚，如此会导致填入其间的层间介电层中容易形成空洞，进而导致后续在该层间介电层中形成接触件同时产生管道缺陷，使得接触件短路或漏电。使用其他填充性较佳的介电质(如旋涂式介电材料sod)虽然可以解决此问题，但是逻辑制作工艺中可供选择的介电质十分有限。此外，现有技术中也有采用...
【技术保护点】
1.一种改善接触件管道缺陷的半导体制作工艺，包含：
2.如权利要求1所述的改善接触件管道缺陷的半导体制作工艺，还包含：
3.如权利要求2所述的改善接触件管道缺陷的半导体制作工艺，其中形成该金属硅化物层的步骤包含：
4.如权利要求1所述的改善接触件管道缺陷的半导体制作工艺，其中形成该些氮化硅间隔壁的步骤包含：
5.如权利要求4所述的改善接触件管道缺陷的半导体制作工艺，其中该第三回蚀刻制作工艺也会移除该些四乙氧基硅烷间隔壁，使得相邻的两个栅极之间的该些氮化硅间隔壁有延伸部位，该延伸部位在水平方向上超出其上方的该些四乙氧基硅烷
【技术特征摘要】
1.一种改善接触件管道缺陷的半导体制作工艺，包含：
2.如权利要求1所述的改善接触件管道缺陷的半导体制作工艺，还包含：
3.如权利要求2所述的改善接触件管道缺陷的半导体制作工艺，其中形成该金属硅化物层的步骤包含：
4.如权利要求1所述的改善接触件管道缺陷的半导体制作工艺，其中形成该些氮化硅间隔壁的步骤包含：
5.如权利要求4所述的改善接触件管道缺陷的半导体制作工艺，其中该第三回蚀刻制作工艺也会移除该些四乙氧基硅烷间隔壁，使得相邻的两个栅极之间的该些氮化硅间隔壁有延伸部位，该延伸部位在水平方向上超出其上方的该些四乙氧基硅烷间隔壁。
6.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄慧秦，简宏儒，廖玉梅，施凯侥，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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