【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池制备，特别涉及一种异质结掺杂层制备方法及太阳能电池。
技术介绍
1、异质结材料是由两种不同元素或不同成分材料所构成的一定结型的半导体材料。结两边的导电类型由掺杂控制，掺杂类型不同的称为“异型异质结”。由于结两边材料的禁带宽度和其他特性不同制作的器件可获得高放大倍数和高响应速度，可采用化学气相沉积方法来制备，广泛用于光电子器件等领域。异质结太阳能电池是一种基于异质结构的电池，通过在正极和负极之间构建异质结，使得电池的性能得到提升。
2、相关技术中，在制备异质结掺杂层时，掺杂层通常采用至少一个工艺腔进行制备，掺杂层的工艺温度一般为200-210℃，掺杂层一般包含几个不同功能层，几个不同功能层均采用相同的工艺温度。然而这存在温度调试窗口窄，制备出的太阳能电池片的电性能和光学性能没办法做到匹配的问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题中的至少之一，本申请提供一种异质结掺杂层制备方法及太阳能电池，能够利用变温方式拓宽调试窗口范围，提高掺杂层结晶度，提高载流子迁移率...
【技术保护点】
1.一种异质结掺杂层制备方法，其特征在于：包括
2.根据权利要求1所述的异质结掺杂层制备方法，其特征在于：所述变温过程中的温度依次升高，所述第二工艺腔的温度比所述第一工艺腔的温度高10至40℃，所述第三工艺腔的温度比所述第二工艺腔的温度高10至40℃。
3.根据权利要求1所述的异质结掺杂层制备方法，其特征在于：所述变温过程中的温度依次降低，所述第二工艺腔的温度比所述第一工艺腔的温度低10至40℃，所述第三工艺腔的温度比所述第二工艺腔的温度低10至40℃。
4.根据权利要求1所述的异质结掺杂层制备方法，其特征在于：所述变温过程中的温度...
【技术特征摘要】
1.一种异质结掺杂层制备方法，其特征在于：包括
2.根据权利要求1所述的异质结掺杂层制备方法，其特征在于：所述变温过程中的温度依次升高，所述第二工艺腔的温度比所述第一工艺腔的温度高10至40℃，所述第三工艺腔的温度比所述第二工艺腔的温度高10至40℃。
3.根据权利要求1所述的异质结掺杂层制备方法，其特征在于：所述变温过程中的温度依次降低，所述第二工艺腔的温度比所述第一工艺腔的温度低10至40℃，所述第三工艺腔的温度比所述第二工艺腔的温度低10至40℃。
4.根据权利要求1所述的异质结掺杂层制备方法，其特征在于：所述变温过程中的温度先升高后降低，所述第二工艺腔的温度比所述第一工艺腔的温度高10至40℃，所述第三工艺腔的温度比所述第二工艺腔的温度低10至40℃。
5.根据权利要求1所述的异质结掺杂层制备方法，其特征在于：所述变温过程中的温度先降低后升高，所述第二工艺腔的温度比所述第一工艺腔的温度低10至40℃，所述第三工艺腔的温度比所述第二工艺腔的温度高1...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：广东利元亨智能装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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