一种具有温补特性的声表面波器件结构制造技术

本发明专利技术公开了一种具有温补特性的声表面波器件结构，包括电极层、压电薄膜和衬底，压电薄膜设于衬底上表面，电极层设置在压电薄膜表面。还包括温补层，所述温补层位于衬底与压电薄膜之间，或者温补层位于压电薄膜之上并将压电薄膜上表面和电极层覆盖，温补层采用具有温补特性的材料制成。衬底材料为AlN陶瓷、AlN多晶或氮化镓GaN。当衬底为AlN陶瓷时，还包括功能层，所述功能层位于温补层和衬底之间；或者所述功能层位于温补层和压电薄膜之间；功能层材料采用以下材料中的至少一种制成：AlN薄膜、二氧化硅SiO<subgt;2</subgt;、多晶硅PolySi。本发明专利技术声表面波器件具有优异的温补特性，并通过进一步改进后具有高功率耐受能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及声表面波器件，具体涉及一种具有温补特性的声表面波器件结构（声表面波滤波器）结构，属于信息电子材料。

技术介绍

1、射频滤波器是整个射频前端中的占比最高的元件，也是国防军工、移动通讯及汽车电子的重要元器件之一，其作用是滤除通讯过程中的无用信号，保留有用信号，主要分为滤波器、双工器、多工器、信号提取器等。声表面波(saw)滤波器由于其尺寸小、插损低、选择性好、成本低、可靠性高等优点被广泛应用于各领域。由于普通saw器件的性能受温度影响较大，无法满足saw器件的高低温应用需求，因此，相关研究人员提出在具有负温度系数的钽酸锂(lt)或铌酸锂(ln)压电基底上覆盖一层具有正温度系数的sio2温补层，从而减小器件的温度系数，提高其温度稳定性，这种结构被称为温度补偿型saw（temperaturecompensated saw，简称tcsaw）。

2、然而，由于sio2温补层的导热特性较差，使得现有tcsaw结构的功率耐受能力相比普通saw器件极具恶化，而未来5g、6g通讯时代对saw器件的功率耐受能力提出了更高的需求，因此，亟需提出一种既具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有温补特性的声表面波器件结构，包括电极层、压电薄膜和衬底，压电薄膜设于衬底上表面，电极层设置在压电薄膜表面；其特征在于：还包括温补层，所述温补层位于衬底与压电薄膜之间，温补层采用具有温补特性的材料制成。

2.根据权利要求1所述的一种具有温补特性的声表面波器件结构，其特征在于：所述衬底的材料为AlN陶瓷、AlN多晶或氮化镓GaN。

3.根据权利要求2所述的一种具有温补特性的声表面波器件结构，其特征在于：当所述衬底的材料为AlN陶瓷时，还包括功能层，所述功能层位于温补层和衬底之间；功能层材料采用以下材料中的至少一种制成：AlN薄膜、二氧化硅SiO2、多晶硅P...

【技术特征摘要】

1.一种具有温补特性的声表面波器件结构，包括电极层、压电薄膜和衬底，压电薄膜设于衬底上表面，电极层设置在压电薄膜表面；其特征在于：还包括温补层，所述温补层位于衬底与压电薄膜之间，温补层采用具有温补特性的材料制成。

2.根据权利要求1所述的一种具有温补特性的声表面波器件结构，其特征在于：所述衬底的材料为aln陶瓷、aln多晶或氮化镓gan。

3.根据权利要求2所述的一种具有温补特性的声表面波器件结构，其特征在于：当所述衬底的材料为aln陶瓷时，还包括功能层，所述功能层位于温补层和衬底之间；功能层材料采用以下材料中的至少一种制成：aln薄膜、二氧化硅sio2、多晶硅polysi。

4.根据权利要求2所述的一种具有温补特性的声表面波器件结构，其特征在于：当所述衬底的材料为aln陶瓷时，还包括功能层，所述功能层位于温补层和压电薄膜之间；功能层材料采用以下材料中的至少一种制成：aln薄膜、二氧化硅sio2、多晶硅polysi。

5.根据权利要求2所述的一种具有温补特性的声表面波器件结构，其特征在于：当所述衬底的材料为aln陶瓷时，还包括功能层，所述功能层位于衬底和压电薄膜之间；功能层材料采用以下材料中的至少一种制成：aln薄膜、二氧化硅sio...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晋毅，肖强，杜雪松，褚梦群，陈彦光，陈正林，董加和，郑泽渔，陆川，李桦林，陈华志，谭瑞，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：发明
国别省市：