一种光接收器及芯片制造技术

本发明专利技术提供一种光接收器和芯片，包括光电转换单元和分光单元；光电转换单元包括均呈十字形的平板波导和吸收区，且在四个末端均设置有输入端口；吸收区覆盖平板波导的部分表面，且将平板波导的露出部分划分为均呈L型的四个区域，四个区域间隔为P型掺杂区和N型掺杂区；分光单元包括四个连接波导，连接波导与输入端口一一对应连接，以将光输入至输入端口中。通过将平板波导和吸收区设置为十字形，并将光分光后分别输入四个末端的输入端口，使得进入单端吸收区的光强较小，从而降低了光电饱和作用；未被吸收的光会回传至分光单元被损耗，从而降低了反射，提高了光接收器的性能，解决了如何降低光接收器的大光饱和效应以提高光接收器的性能的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学器件，特别涉及一种光接收器及芯片。

技术介绍

1、作为一类可将所检测到的光转换成电信号的半导体器件，光接收器在许多领域具有重要的应用，如图像传感、数据通信、远程控制、环境监测等。随着集成技术的发展，硅基光子技术兼容cmos工艺，具备工艺成熟和高集成度的优势，能满足光电子器件的集成化、低成本的需求，其中，硅基锗光接收器是实现光电转换的核心器件。

2、目前，光接收器通常采用多模干涉耦合或锥形波导耦合等形式在保证响应度的同时降低大光饱和效应，其中，大光饱和效应是指高光强的光进入光接收器而引起的光电饱和作用，该效应会使光接收器的性能劣化。然而，现有的耦合方式，在光接收器的吸收区仍聚集有大部分光，从而在此部分区域形成大光饱和效应，使得光接收器的性能劣化。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种光接收器及芯片，以解决如何降低光接收器的大光饱和效应以提高光接收器的性能的问题。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种光接收器，包括光电转换单元和分光单元；

3、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光接收器，其特征在于，包括光电转换单元和分光单元；

2.根据权利要求1所述的光接收器，其特征在于，所述第一区域的至少部分和所述第三区域的至少部分P型掺杂；所述第二区域的至少部分和所述第四区域的至少部分N型掺杂。

3.根据权利要求1所述的光接收器，其特征在于，被所述吸收区覆盖的所述平板波导中，靠近P型掺杂区的部分P型掺杂、靠近N型掺杂区的部分N型掺杂，且P型掺杂区和N型掺杂区之间留有未掺杂的平板波导。

4.根据权利要求1所述的光接收器，其特征在于，所述P型掺杂区和所述N型掺杂区通过一步掺杂形成或通过多步掺杂形成；当通过多步掺杂形成时，所述P型掺杂...

【技术特征摘要】

1.一种光接收器，其特征在于，包括光电转换单元和分光单元；

2.根据权利要求1所述的光接收器，其特征在于，所述第一区域的至少部分和所述第三区域的至少部分p型掺杂；所述第二区域的至少部分和所述第四区域的至少部分n型掺杂。

3.根据权利要求1所述的光接收器，其特征在于，被所述吸收区覆盖的所述平板波导中，靠近p型掺杂区的部分p型掺杂、靠近n型掺杂区的部分n型掺杂，且p型掺杂区和n型掺杂区之间留有未掺杂的平板波导。

4.根据权利要求1所述的光接收器，其特征在于，所述p型掺杂区和所述n型掺杂区通过一步掺杂形成或通过多步掺杂形成；当通过多步掺杂形成时，所述p型掺杂区和所述n型掺杂区为轻掺杂或重掺杂。

5.根据权利要求1所述的光接收器，其特征在于，所述第一区域的p型掺杂区和所述第三区域的p型掺杂区通过金属走线相连；所述第二区域的n型掺杂区和所述第四区域的n型掺杂区通过金属走线相连。

6.根据权利要求1所述的光接收器，其特征在于，所述分光单元包括依次接触设置的输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇轩，周广柱，施晓军，
申请(专利权)人：上海赛丽微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：