一种低维卤化物闪烁材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于电离辐射探测材料技术领域，具体涉及一种低维卤化物闪烁材料及其制备方法和应用。材料的化学通式为A<subgt;8</subgt;BC<subgt;3</subgt;X<subgt;18</subgt;；A为Cs；B选自Cu、Ag、Au、In和Tl中的至少一种；C选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Sc、Y和Lu中的至少一种；X选自F、Cl、Br和I中的至少一种。该材料易于制成单晶、粉体、多晶薄膜，具有非（弱）潮解、高电离辐射发光效率、无闪烁发光自吸收、高光输出、低余辉、高能量分辨率等优势，在医学影像、安检、石油探井和工业检测等领域有重要应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电离辐射探测材料，具体涉及一种低维卤化物闪烁材料及其制备方法和应用，尤其是涉及一种基于稀土团簇增强的钙钛矿衍生闪烁材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、作为电离辐射探测材料的一种，闪烁材料可以将入射其中的高能粒子(α, β, γ辐射)或射线转化为低能光子束。随着高端医学影像、安检、石油探井、以及高能物理领域对核辐射探测器性能要求的日益提高，亟需开发出新型高性能闪烁材料。

2、截至目前，最常用的商用闪烁材料是外掺杂离子激活的化合物，如掺铊碘化钠(nai:tl), 掺铊碘化铯（csi:tl）和掺铈硅酸钇镥（lu1.8y0.2sio5:ce)。但这类闪烁材料通常因为掺杂离子在生长过程中存在分凝效应，当其大尺寸应用时会造成掺杂离子分布不均并进而导致晶体存在发光及闪烁探测性能非均匀性的问题，限制了它们的进一步应用发展。与外部离子激活的闪烁材料相比，自激活（本征）发光闪烁材料具有发光均匀性好的优点，可以防止它们在扩大晶体尺寸时性能下降。至今为止，已经发现了几种由ce3+、eu2+和tl+离子自激活的高性能闪烁材料，如cebr3, cs4eu本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低维卤化物闪烁材料，其特征在于：所述低维卤化物闪烁材料的化学通式为A8BC3X18；

2.根据权利要求1所述的低维卤化物闪烁材料，其特征在于：A位元素由Cs和至少一种不同于Cs的其他元素共同组成；

3.根据权利要求1所述的低维卤化物闪烁材料，其特征在于：化学式为：Cs8CuLu3Cl18、Cs8CuSc3Br18、Cs8CuLu3Br18、Cs8(Cu0.4Ag0.6)Y3Cl18、Cs8Cu(Sc0.5Y0.5)3Cl18、Cs8CuY3(Cl0.8Br0.2)18、Cs8CuY3Br18、Cs8CuSc3I18、或Cs8CuSc3I18。

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【技术特征摘要】

1.一种低维卤化物闪烁材料，其特征在于：所述低维卤化物闪烁材料的化学通式为a8bc3x18；

2.根据权利要求1所述的低维卤化物闪烁材料，其特征在于：a位元素由cs和至少一种不同于cs的其他元素共同组成；

3.根据权利要求1所述的低维卤化物闪烁材料，其特征在于：化学式为：cs8culu3cl18、cs8cusc3br18、cs8culu3br18、cs8(cu0.4ag0.6)y3cl18、cs8cu(sc0.5y0.5)3cl18、cs8cuy3(cl0.8br0.2)18、cs8cuy3br18、cs8cusc3i18、或cs8cusc3i18。

4.根据权利要求1所述的低维卤化物闪烁材料，其特征在于：化学式为：cs8cuy3cl18或cs8cusc3cl18。

5.根据权利要求1所述的低维卤化物闪烁材料，其特征在于：

6.一种低维卤化...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴云涛，王玉捷，闻学敏，
申请(专利权)人：江苏先进无机材料研究院，
类型：发明
国别省市：