【技术实现步骤摘要】
本申请涉及单晶生长，特别是一种氧化镓单晶生长的加热功率匹配方法、装置和设备。
技术介绍
1、氧化镓是一种新型的超宽禁带半导体材料，氧化镓单晶还具有独特的紫外透过特性以及低的能量损耗、高的热稳定性和化学稳定性等优点，是制造高温高频高功率微电子器件、日盲紫外光电探测器、紫外透明导电电极的优选半导体材料。
2、在生长氧化镓单晶的过程中常采用多个加热器进行加热及温度控制，然而，在实际生长过程中，多个加热器功之间的功率配置及功率降低速率均会对氧化镓的结晶质量和结晶效率产生影响。例如，当功率降低速率过快，则容易导致氧化镓结晶质量不佳，而功率降低速率过慢，则容易导致氧化镓结晶时间过长，能耗过大。因此，有必要开发一种氧化镓单晶生长的加热功率匹配方法、装置和设备，确定氧化镓单晶生长过程中的最合适的加热功率相关参数。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种氧化镓单晶生长的加热功率匹配方法、装置和设备，以便克服上述问题或者至少部分地解决上述问题。
2、本申请实施例的第一方...
【技术保护点】
1.一种氧化镓单晶生长的加热功率匹配方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的氧化镓单晶生长的加热功率匹配方法，其特征在于，所述根据氧化镓在所述结晶生长过程中是否有液泡出现，以及凝固时间的长短，调整得到新的降温速率方案，包括：
3.根据权利要求1所述的氧化镓单晶生长的加热功率匹配方法，其特征在于，所述根据氧化镓在所述结晶生长过程中是否有液泡出现，以及凝固时间的长短，调整得到新的降温速率方案，包括：
4.根据权利要求1所述的氧化镓单晶生长的加热功率匹配方法，其特征在于，所述通过所述传热流动数值模型，模拟在目标功率配比下...
【技术特征摘要】
1.一种氧化镓单晶生长的加热功率匹配方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的氧化镓单晶生长的加热功率匹配方法，其特征在于，所述根据氧化镓在所述结晶生长过程中是否有液泡出现，以及凝固时间的长短，调整得到新的降温速率方案，包括：
3.根据权利要求1所述的氧化镓单晶生长的加热功率匹配方法，其特征在于，所述根据氧化镓在所述结晶生长过程中是否有液泡出现，以及凝固时间的长短，调整得到新的降温速率方案，包括：
4.根据权利要求1所述的氧化镓单晶生长的加热功率匹配方法，其特征在于，所述通过所述传热流动数值模型，模拟在目标功率配比下，按照设定的降温速率方案，氧化镓从完全熔化到结晶完成的结晶生长过程，包括：
5.根据权利要求1所述的氧化镓单晶生长的加热功率匹配方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：李早阳，祁冲冲，史睿菁，王君岚，周亮宇，刘立军，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：
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