一种高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构制造技术

本技术公开了一种高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构，包括第一芯片、第二芯片、再布线金属层一、高铜柱和再布线金属层二，第一芯片的背面和四周侧面包覆有塑封层一，第二芯片与第一芯片面对面设置，再布线金属层一位于第一芯片与第二芯片之间，再布线金属层一与第二芯片通过金属焊盘和微凸块连接、且间隙处设有填充料，高铜柱分端分别连接再布线金属层一、二，高铜柱和第二芯片被塑封层二包覆。本技术用高铜柱穿透塑封料的形式，实现3D晶圆级封装，可减少封装面积和电性能传输路径，采用面对面芯片贴装并通过高铜柱连接，在单位体积内实现更高封装密度，提高走线的可能性和灵活性，降低封装工艺难度，能实现更快的信号传输效率，降低功耗。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体封装，更具体涉及一种高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构。

技术介绍

1、随着半导体技术发展，市场对电子设备的期望和需求越来越高，应用的制造技术也在不断地提高。为了满足集成化、高密度化的封装要求，一个封装结构往往需要设置更多的线路层数以及引脚数目，现有的csp(chip scale package，芯片级封装)、qfn(quad flatno-leads package，方形扁平无引脚封装)、sip(system in a package，系统级封装)等普通封装形式，无法满足市场需求。

2、因此，持续研发出小体积、高性能、高能效的芯片封装结构是发展的必然趋势。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本技术提供了一种可减少封装面积、减少电性能传输路径的高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构，实现更高封装密度，走线灵活性高。

2、根据本技术的一个方面，提供了一种高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构，包括：

3、第一芯片，所述第一芯片的背面和四周侧面包覆有塑封层一；

4、第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构，其特征在于，还包括再布线金属层二(8)，所述再布线金属层二(8)连接于塑封层二(7)上方，所述再布线金属层二(8)的上表面植有焊球(81)。

3.根据权利要求2所述的高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构，其特征在于，所述第二芯片(4)表面有介电层(41)，所述介电层(41)设有线路层(42)，所述介电层(41)的表面设有金属微凸块(43)，所述金属微凸块(43)与线路层(42)连接，所述再布线金属层一(3)的上表面设有金属焊盘(31)，所述金属焊盘(31)...

【技术特征摘要】

1.一种高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构，其特征在于，还包括再布线金属层二(8)，所述再布线金属层二(8)连接于塑封层二(7)上方，所述再布线金属层二(8)的上表面植有焊球(81)。

3.根据权利要求2所述的高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构，其特征在于，所述第二芯片(4)表面有介电层(41)，所述介电层(41)设有线路层(42)，所述介电层(41)的表面设有金属微凸块(43)，所述金属微凸块(43)与线路层(42)连接，所述再布线金属层一(3)的上表面设...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵玥，张亚文，张玉，郭红红，张福森，程振，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：