水泥基材料受冻变形试验装置及其引气剂掺量确定方法制造方法及图纸

水泥基材料受冻变形试验装置及其引气剂掺量确定方法。本发明专利技术对于受冻环境条件明确的水泥基材料，预设了两种引气剂用量，采用本装置对水泥基材料进行受冻变形测试，以获得总变形V<subgt;C</subgt;，对新拌水泥基材料进行了含气量测试，以获得含气量V<subgt;A</subgt;；提出早期受冻水泥基材料体积变形计算模型，分解总变形V<subgt;C</subgt;，计算得出水泥基材料的温度变形V<subgt;T</subgt;、孔溶液冻结引起的相变膨胀变形V<subgt;E</subgt;、水泥水化自干燥作用导致的毛细气孔体积ΔV和气泡吸纳冻胀效率系数γ；验证并确定两组均满足V<subgt;E</subgt;－(V<subgt;A</subgt;+ΔV)γ大于0的条件，以确保V<subgt;C</subgt;大于V<subgt;T</subgt;，延长V<subgt;C</subgt;与V<subgt;T</subgt;曲线相交，此时V<subgt;C</subgt;和V<subgt;T</subgt;曲线的交点就是引气剂掺量最佳值。

【技术实现步骤摘要】

：本专利技术具体涉及一种水泥基材料受冻变形试验装置及其引气剂掺量确定方法。

技术介绍

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技术介绍
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1、寒冷地区冬期施工的混凝土易发生早期冻害，混凝土早期冻害的显著特征是产生冻胀变形，当室外日平均气温连续五天稳定低于5℃时，就应采取冬期施工的技术措施进行混凝土施工，因为水泥的水化速度在一定湿度条件下主要取决于温度，温度愈高，强度增长也愈快，反之则慢。当保温措施不当或突遇寒流，冬期施工中混凝土的受冻破坏的风险大大提高了，而当环境温度降低到0℃以下时，存在于混凝土中的水有一部分开始结冰，逐渐由液相水变为固相冰。初期形成的冰晶生长在大的毛细孔内，随着温度持续下降，当混凝土中的大部分水完全变成冰，水泥水化作用基本停止，此时强度就不再增长。水变成冰后，体积约增大9％，同时产生约200mpa的冰胀应力，这个应力值常常大于水泥石内部形成的初期强度值，从而严重影响混凝土力学性能和耐久性，使混凝土受到不同程度的受冻破坏，如粗大孔隙、冻胀和早期开裂的发生，即使再回到正温养护混凝土的微结构和力学性能也不能得到完全恢复，显著地降低混凝土的使用功能和服役寿命。

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【技术保护点】

1.一种水泥基材料受冻变形试验装置，包括底座(1)、立柱(2)、底箱体(3)、上盖(4)和锥形壳体(5)，所述底座(1)水平设置，立柱(2)竖直设置在底座(1)上，底箱体(3)设置在底座(1)上，底箱体(3)的顶端为敞口端，底箱体(3)的敞口端内设置有倒置的锥形壳体(5)，锥形壳体(5)内填充有待测浆体(18)，底箱体(3)的敞口端处配合设置有上盖(4)，上盖(4)设置在立柱(2)上，上盖(4)沿立柱(2)的长度方向往复滑动；

2.根据权利要求1所述的水泥基材料受冻变形试验装置，其特征在于：所述底箱体(3)的内壁与锥形壳体(5)外壁之间形成有第一环形内腔(11)，底箱体(3)...

【技术特征摘要】

1.一种水泥基材料受冻变形试验装置，包括底座(1)、立柱(2)、底箱体(3)、上盖(4)和锥形壳体(5)，所述底座(1)水平设置，立柱(2)竖直设置在底座(1)上，底箱体(3)设置在底座(1)上，底箱体(3)的顶端为敞口端，底箱体(3)的敞口端内设置有倒置的锥形壳体(5)，锥形壳体(5)内填充有待测浆体(18)，底箱体(3)的敞口端处配合设置有上盖(4)，上盖(4)设置在立柱(2)上，上盖(4)沿立柱(2)的长度方向往复滑动；

2.根据权利要求1所述的水泥基材料受冻变形试验装置，其特征在于：所述底箱体(3)的内壁与锥形壳体(5)外壁之间形成有第一环形内腔(11)，底箱体(3)的外壁上分别设置有第一注入管(14)和第一排出管(15)，底箱体(3)的底部连通有第一注入管(14)，底箱体(3)的顶部连通有第一排出管(15)；所述上盖(4)为圆盘体，上盖(4)内加工有第二环形内腔(7)，上盖(4)的外壁上分别设置有第二注入管(8)和第二排出管(9)，第二注入管(8)和第二排出管(9)分别与第二环形内腔(7)相连通。

3.根据权利要求1或2所述的水泥基材料受冻变形试验装置，其特征在于：所述上盖(4)的下端面设置有空心圆台(12)，空心圆台(12)的内部与第二环形内腔(7)相连通，空心圆台(12)的外径与锥形壳体(5)大口端口径相配合设置；

4.根据权利要求1所述的水泥基材料受冻变形试验装置，其特征在于：温度感应爪(6-5)为无线测温传感器或有线测温传感器，温度感应爪(6-5)的形状为柱体。

5.根据权利要求2所述的水泥基材料受冻变形试验装置，其特征在于：所述上接触片(6-2)为圆片体，直杆体(6-3)为圆柱形杆体，上接触片(6-2)、直杆体(6-3)和下盘体(6-4)之间同轴设置，记录上接触片(6-2)上表面到下盘体(6-4)下表面的距离为h1。

6.利用权利要求1、2、3、4或...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨英姿，高金麟，桑源，李丹阳，马小兵，温俊成，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：