一种用于半导体封装的ETFE薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于半导体封装的ETFE薄膜的制备方法。该方法通过预处理、辐射处理和接枝反应三个步骤来制备ETFE薄膜。首先，在预处理步骤中，将乙烯‑四氟乙烯共聚物、可溶性聚四氟乙烯、氧化锆、聚丙烯酸酯挤出成薄膜并经过冷却和干燥处理，得到预处理ETFE薄膜，然后，在辐射处理步骤中，对预处理薄膜进行高能电子辐射，最后，在接枝反应步骤中，将辐照后的薄膜与单体混合物反应，形成具有改性特性的ETFE薄膜。与现有技术相比，这种薄膜具有优异的力学性能和热稳定性能，适用于半导体封装，为半导体封装领域提供了一种新的解决方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及etfe薄膜，尤其涉及一种用于半导体封装的etfe薄膜的制备方法。

技术介绍

1、传统的etfe薄膜制备方法包括挤出法、涂布法和拉伸法等。这些方法通常使用etfe树脂作为原料，通过热处理和机械加工等工艺制备薄膜。但是传统的制备方法生产的etfe薄膜性能达不到使用要求，为了提高etfe薄膜的物理性能，例如强度、耐热性和耐化学性，常采用热处理、交联处理或添加增强填料等方法。这些方法可以增强薄膜的结构稳定性和耐用性。为了提高etfe薄膜的气体阻隔性能，常采用添加气体阻隔层或采用多层复合结构的方法。这些方法可以减少气体渗透，提高薄膜的气体阻隔性能。为了改善etfe薄膜的表面性能，例如降低表面能、提高润湿性和附着性，常采用表面处理方法，如等离子体处理、化学修饰和涂层等。etfe薄膜在半导体封装中广泛应用于封装基板、隔离层、密封材料和保护层等方面。相关的技术包括薄膜的成型、切割、组装和封装工艺等。

2、现有技术中etfe薄膜制备方法在提高物理性能方面存在一定的限制。薄膜的强度、耐热性和耐化学性可能不足以满足某些高温、高压和化学腐蚀等严酷条件下本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于半导体封装的ETFE薄膜的制备方法，其特征在于，制备方法如下：

2.如权利要求1所述的用于半导体封装的ETFE薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中各物质的重量份为100～140份乙烯-四氟乙烯共聚物、6～10份可溶性聚四氟乙烯、1～3份氧化锆、2～4份聚丙烯酸酯。

3.如权利要求1所述的用于半导体封装的ETFE薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的加热温度为200～250℃；冷却温度为90～110℃。

4.如权利要求1所述的用于半导体封装的ETFE薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中预处理ETFE薄膜的厚度为60～100μm。<...

【技术特征摘要】

1.一种用于半导体封装的etfe薄膜的制备方法，其特征在于，制备方法如下：

2.如权利要求1所述的用于半导体封装的etfe薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中各物质的重量份为100～140份乙烯-四氟乙烯共聚物、6～10份可溶性聚四氟乙烯、1～3份氧化锆、2～4份聚丙烯酸酯。

3.如权利要求1所述的用于半导体封装的etfe薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的加热温度为200～250℃；冷却温度为90～110℃。

4.如权利要求1所述的用于半导体封装的etfe薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中预处理etfe薄膜的厚度为60～100μm。

5.如权利要求1所述的用于半导体封装的etfe薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中高能电子参数为1.4～1.6mev、3～5ma。

6.如权利要求1所述的用于半导体封装的etf...

【专利技术属性】
技术研发人员：张冬健，戴君帅，
申请(专利权)人：南通市志成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：