基于分子层沉积技术制备的OLED结构及方法技术

技术编号:41561513 阅读:30 留言:0更新日期:2024-06-06 23:45
本发明专利技术提供一种基于分子层沉积技术制备的OLED结构及方法。制备方法包括采用分子层沉积工艺于基底上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的步骤,且在沉积空穴注入层的过程中,采用了等离子体辅助处理将前驱物分子解离成活性自由基,以及通入O3气体以增加沉积表面的活性,促进聚合反应。本发明专利技术可以拓展OLED结构各膜层的原材料选择,且具有材料利用率高、制备过程可控性强、整体生产效率高、质量稳定等优点,能够满足大规模生产需求。此外还可以减少基底的转移和设备参数的调整,有助于效率和制备膜层品质的提升,且可显著提高MLD过程的聚合速度,大大缩短工艺时间,从而可极大地增强该技术在产业化应用中的前景和潜力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造,具体涉及oeld,特别是涉及一种基于分子层沉积技术制备的oled结构及方法。


技术介绍

1、有机发光二极管(organic light-emitting diode ,简称oled)是一种将有机化合物作为发光材料的半导体器件。其发光原理基于电子和空穴的复合过程,通过电场激发有机分子发出光。oled的结构包括发光层、电子传输层和空穴传输层,其中发光层决定了发光颜色和效率。

2、oled的制备流程包括基底清洗、透明导电层制备、电子传输层/空穴传输层沉积、发光层沉积以及封装等步骤。针对不同类型的膜层,其制备方法主要有真空蒸镀技术、甩胶涂布技术和喷墨打印技术等。但是传统制备技术存在固有缺陷,例如真空蒸镀技术存在材料利用率低、生产效率不高、设备成本高等问题;甩胶涂布技术易产生厚度不均匀、质量不稳定等质量问题;喷墨打印技术受精度和材料选择限制。随着oled技术不断的演进,上述制备方式已越来越无法满足高质量oled制备需求。寻找新型镀膜技术来替代传统的oled薄膜制备方法已经迫在眉睫。

3、应该注意,上面对技术背景的介绍本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于分子层沉积技术制备OLED结构的方法,其特征在于,所述方法包括采用分子层沉积工艺于基底上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的步骤,且在沉积空穴注入层的过程中,采用了等离子体辅助处理将前驱物分子解离成活性自由基,以及通入O3气体以增加沉积表面的活性,促进聚合反应。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述空穴注入层的材质包括聚苯胺,形成空穴注入层的过程包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,形成空穴注入层的过程中的工艺条件包括如下中的若干个:

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:在形成空穴传输...

【技术特征摘要】

1.一种基于分子层沉积技术制备oled结构的方法,其特征在于,所述方法包括采用分子层沉积工艺于基底上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的步骤,且在沉积空穴注入层的过程中,采用了等离子体辅助处理将前驱物分子解离成活性自由基,以及通入o3气体以增加沉积表面的活性,促进聚合反应。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述空穴注入层的材质包括聚苯胺,形成空穴注入层的过程包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,形成空穴注入层的过程中的工艺条件包括如下中的若干个:

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:在形成空穴传输层和/或空穴注入层的过程中,还包括于反应物气体中添加无机纳米金属颗粒,之后对形成的空穴传输层和/或空穴注入层进行氧化处理,以于对应的结构层表面形成电和/或光致变色层的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述发光层包括镧系对苯二甲酸盐薄膜层,制备发光层的过程包括:

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电子注入层包括peie层,制备电子注入层的过程包括:

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【专利技术属性】
技术研发人员:王良栋张威威宋维聪
申请(专利权)人:上海陛通半导体能源科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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