异质结双极晶体管、集成异质结双极晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术实施例提供一种异质结双极晶体管，包括有源区，有源区内第一基极接触金属和第二基极接触金属分别设置在发射极接触层的相对两侧且与发射极接触层间隔设置，其中，第一基极接触金属与发射极接触层之间的间隔距离为第一距离，第二基极接触金属与发射极接触层之间的间隔距离为第二距离，第一距离与第二距离之差的绝对值小于等于100埃。本发明专利技术实施例提供的异质结双极晶体管、集成异质结双极晶体管及其制备方法，使得第一基极接触金属和第二基极接触金属到发射极接触层直接的间隔距离较小，可提高HBT产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种异质结双极晶体管、集成异质结双极晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、图15示出了一种现有异质结双极晶体管(hbt，heterojunction bipolartransistor)产品的部分结构示意图，其中标号201表示collector(集电极层)，202表示base(基极层)，204表示emitter(发射极层)，2031和2032分别表示位于emitter两侧的bc(basecontact metal，基极接触金属)；205表示em(emitter contact，发射极接触层)，206表示sin层；现有异质结双极晶体管制程中，em和bc分为两次光刻作业，以往的制作工艺无法解决由于光刻作业存在对准问题导致bc和em存在天然的偏移，将影响ledge长度(bc到em的距离，即图15中的l3和l4)，从而影响hbt产品的可靠性。

技术实现思路

1、因此，为克服现有技术中的至少部分缺陷，本专利技术实施例提供了一种异质结双极晶体管、集成异质结双极晶体管及其制备方法，其中，第一基极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质结双极晶体管，其特征在于，包括有源区，所述有源区具有依次叠设的衬底、次集电极层、蚀刻停止层、集电极层、基极层和发射极层，所述发射极层上局部沉积有发射极接触层；以及第一发射极接触金属，设置在所述发射极接触层上；集电极接触金属，穿过所述集电极层和所述蚀刻停止层与所述次集电极层连接；第一基极接触金属和第二基极接触金属，分别设置在所述发射极接触层的相对两侧且与所述发射极接触层间隔设置，且所述第一基极接触金属和所述第二基极接触金属穿过所述发射极层与所述基极层连接；

2.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述第一距离与所述第二距离相等。>

3.如权利要...

【技术特征摘要】

1.一种异质结双极晶体管，其特征在于，包括有源区，所述有源区具有依次叠设的衬底、次集电极层、蚀刻停止层、集电极层、基极层和发射极层，所述发射极层上局部沉积有发射极接触层；以及第一发射极接触金属，设置在所述发射极接触层上；集电极接触金属，穿过所述集电极层和所述蚀刻停止层与所述次集电极层连接；第一基极接触金属和第二基极接触金属，分别设置在所述发射极接触层的相对两侧且与所述发射极接触层间隔设置，且所述第一基极接触金属和所述第二基极接触金属穿过所述发射极层与所述基极层连接；

2.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述第一距离与所述第二距离相等。

3.如权利要求2所述的异质结双极晶体管，其特征在于，还包括：第一介质层，覆盖在所述发射极层上；所述第一介质层暴露出所述第一基极接触金属、第二基极接触金属以及第一发射极接触金属远离所述衬底的表面；

4.如权利要求3所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述第一介质层的覆盖厚度为700～7000埃。

5.如权利要求4所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述第一介质层包括第一子介质层和覆盖在所述第一子介质层上的第二子介质层；所述第一子介质层的覆盖厚度为200～1000埃；所述第二子介质层的覆盖厚度为500～6000埃。

6.如权利要求4所述的异质结双极晶体管，其特征在于，还包括第二发射极接触金属，覆盖在所述第一发射极接触金属上，所述第二发射极接触金属与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：何湘阳，廖志明，魏鸿基，郭佳衢，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：