【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体的，具体涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、半导体芯片，是在半导体片材上进行浸蚀、布线，并制成能实现某种功能的半导体器件。其不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓，锗等半导体材料。
2、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，芯片的发热问题对芯片整体的工作状态的影响越来越明显。一旦温度过高，元器件就会出现膨大现象，进而各元器件之间互相挤压，使芯片产生裂纹，芯片有可能因此报废。如果温度太高，还有可能激发高能载流子，击穿晶体管，甚至导致芯片焦化。其次，腐蚀也会影响产品的品质和使用寿命。其中，构成芯片的物质除了硅外，还有很多其它的物质。在常温下，这些物质活性不高，可以保持原有状态，对其它元器件不会产生影响。但是如果温度太高，这些物质的活性就会大大加强，不仅影响自身功能的发挥，还会破坏其它元器件。
3、并且，现有的半导体装置大多依靠外部装置散热，比如增加冷却风扇和水冷等，这种散热方式占地面积大，并且有些环境过于狭窄，不利于安装冷却装置，其次，只是单纯的形成温差来散热，往往...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第二散热区(7)分布有多个散热纳米孔(8)，多个所述散热纳米孔(8)设置于所述标识部(5)的表面。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述标识部(5)包括层叠设置的第一着色层(9)和第二着色层(10)，多个所述散热纳米孔(8)设置于所述第一着色层(9)和/或所述第二着色层(10)的表面。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第一着色层(9)和所述第二着色层(10)之间具有加固层(11)。
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第二散热区(7)分布有多个散热纳米孔(8)，多个所述散热纳米孔(8)设置于所述标识部(5)的表面。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述标识部(5)包括层叠设置的第一着色层(9)和第二着色层(10)，多个所述散热纳米孔(8)设置于所述第一着色层(9)和/或所述第二着色层(10)的表面。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第一着色层(9)和所述第二着色层(10)之间具有加固层(11)。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第一着色层(9)和所述第二着色层(10)之间具有耐磨散热层(12)。
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：王维元，
申请(专利权)人：深圳市博仪创新科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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