一种钙钛矿界面的缺陷修复方法技术

本发明专利技术提供了一种钙钛矿界面的缺陷修复方法，先将金属氧化物纳米颗粒、掺杂材料(有机胺和/或所述有机胺的氯盐)和溶剂作为电子传输层原料液去制备电子传输层；再利用一定的钙钛矿前驱体溶液去制备钙钛矿薄膜，其中所述钙钛矿前驱体溶液包括溶质和溶剂；所述溶质包括溶质1和卤化铅；所述溶质1为甲胺卤化物MAX、甲脒卤化物FAX和卤化铯CsX中的至少一种；其中，X为Cl、Br或I；最后再制备其余层组，而得到钙钛矿电池器件。本发明专利技术提供的方法能够实现对钙钛矿电池埋底界面的原位缺陷钝化，从而提高电池的电化学特性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电池材料领域，特别涉及一种钙钛矿界面的缺陷修复方法。

技术介绍

1、有机-无机杂化钙钛矿凭借其高吸光系数、长载流子传输距离、高载流子迁移率、可溶液法低成本制备、高光电转换效率等优势，吸引了大量关注。钙钛矿太阳能电池发展迅速，成为最有可能商业化的一种新型薄膜太阳能电池。

2、高结晶质量的钙钛矿层对于电池的效率及稳定性具有重要的作用。钙钛矿薄膜在制备过程中在界面处易形成不规则孔洞与缺陷，从而成为非辐射复合损失的主要来源，影响最终制备的太阳能电池的效率及稳定性。

3、近年来，对于钙钛矿埋底界面的缺陷优化不断发展，但传统的降低钙钛矿薄膜缺陷的方法，例如上表面钝化辅助微结构重构、引入界面修饰层等，有的需要引入额外的制备步骤，增加了制备成本和制备工艺复杂度，有的则难以实现对埋底界面的有效优化。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种钙钛矿界面的缺陷修复方法。本专利技术提供的方法能够实现对钙钛矿电池埋底界面的原位缺陷钝化，从而提高电池的电化学特性和稳定性。

2、本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿界面的缺陷修复方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的缺陷修复方法，其特征在于，所述有机胺为正丁胺、苯乙胺和N-甲基乙酰胺中的至少一种；

3.根据权利要求1所述的缺陷修复方法，其特征在于，所述金属氧化物纳米颗粒为SnO2纳米颗粒、TiO2纳米颗粒和ZnO纳米颗粒中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的缺陷修复方法，其特征在于，步骤A)中，所述金属氧化物纳米颗粒在溶剂中的质量百分浓度为1wt％～5wt％；

5.根据权利要求1所述的缺陷修复方法，其特征在于，步骤A)中：

6.根据权利要求1所述的缺陷修...

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿界面的缺陷修复方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的缺陷修复方法，其特征在于，所述有机胺为正丁胺、苯乙胺和n-甲基乙酰胺中的至少一种；

3.根据权利要求1所述的缺陷修复方法，其特征在于，所述金属氧化物纳米颗粒为sno2纳米颗粒、tio2纳米颗粒和zno纳米颗粒中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的缺陷修复方法，其特征在于，步骤a)中，所述金属氧化物纳米颗粒在溶剂中的质量百分浓度为1wt％～5wt％；

5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周养盈，李卫东，赵志国，秦校军，赵东明，李孟蕾，王兴涛，赵政晶，蔺子甄，
申请(专利权)人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：