半金属ZrTe3改性方法、偏振光电探测器及制备方法技术

本发明专利技术属于光电探测技术领域，公开了一种半金属ZrTe<subgt;3</subgt;改性方法及其偏振光电探测器，将半金属ZrTe<subgt;3</subgt;晶体平铺在蓝膜胶带上并按压；将蓝膜胶带反复撕开‑粘贴3‑5次；将薄膜粘贴在载玻片；将蓝膜胶带对准薄膜并粘贴；快速撕下蓝膜胶带；将薄膜粘贴在硅片上并加热；缓慢抬起薄膜；355nm调Q激光辐照基底上的ZrTe<subgt;3</subgt;纳米薄晶体，获得改性的半金属ZrTe<subgt;3</subgt;；在二氧化硅基底上制备铬/金电极，获得基底Ⅰ；将改性的ZrTe<subgt;3</subgt;纳米薄晶体和基底Ⅰ结合，获得偏振光电探测器。本发明专利技术的制备工艺简单，且光电性能提升显著，暗电流降低2个数量级，制备偏振光电探测器在紫外‑太赫兹范围内均可实现高的响应度和低的暗电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电探测，尤其涉及一种半金属zrte3改性方法及其偏振光电探测器。

技术介绍

1、偏振是光场中除了振幅和相位的另一个重要信息。对于复杂的目标场景，额外维度光场信息的感知技术是迫切被需要的。得益于对背景和目标偏振差异性出色的提取能力，偏振探测在不同工作波长都扮演重要的角色，例如日盲紫外区的防伪检测、可见光区的材料应力检测、红外光区的烟雾穿透、太赫兹区的生物诊断等。偏振探测器按照结构可以分为多单元集成式偏振探测器和单单元直接偏振探测器。多单元集成式偏振探测器需要独立地集成偏振片阵列和图像传感阵列，是目前主流的商业化偏振探测器。然而，偏振片阵列和图像传感阵列的光谱覆盖范围有限，因此复杂的结构、庞大的体积以及窄的谱宽限制了其小型化多场景应用。二维材料的兴起为小型化、集成化的单单元直接偏振探测器提供了希望。

2、目前实现超宽谱偏振探测，主要利用电场效应、热场效应、光场效应以及零带隙半金属等。上述方法除零带隙半金属均受到外部环境限制，如工作温度、外部供电等。例如公布号为cn109449244b的专利技术专利公开了一种二维半导体和铁电材料功能互本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半金属ZrTe3改性方法，其特征在于，通过使用Nitto蓝膜胶带进行机械剥离法制备ZrTe3纳米薄晶体，然后利用PDMS薄膜将其转移至Si/SiO2基底上，并通过355nm调Q激光辐照进行改性，从而获得具有改进特性的半金属ZrTe3纳米薄晶体。

2.如权利要求1所述的半金属ZrTe3改性方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.如权利要求2所述的半金属ZrTe3改性方法，其特征在于，S1中的ZrTe3晶体由化学气相输运法合成，蓝膜胶带为Nitto-SPV224R胶带，按压时间为15秒；S2中的ZrTe3晶体厚度为40-80nm；S3中的PDMS薄膜为Gel-p...

【技术特征摘要】

1.一种半金属zrte3改性方法，其特征在于，通过使用nitto蓝膜胶带进行机械剥离法制备zrte3纳米薄晶体，然后利用pdms薄膜将其转移至si/sio2基底上，并通过355nm调q激光辐照进行改性，从而获得具有改进特性的半金属zrte3纳米薄晶体。

2.如权利要求1所述的半金属zrte3改性方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.如权利要求2所述的半金属zrte3改性方法，其特征在于，s1中的zrte3晶体由化学气相输运法合成，蓝膜胶带为nitto-spv224r胶带，按压时间为15秒；s2中的zrte3晶体厚度为40-80nm；s3中的pdms薄膜为gel-pak中粘度薄膜。

4.如权利要求2所述的半金属zrte3改性方法，其特征在于，s4中用橡皮夹持的时间为24小时；s5中pdms薄膜上获得的zrte3纳米薄晶体厚度为40-80nm。

5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚建铨，宋春宇，丁欣，徐航，李辉，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：