一种电磁场驱动晶圆级LED芯片的无接触检测装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电磁场驱动晶圆级LED芯片的无接触检测装置及方法，无接触检测装置包括：检测基板；检测基板上方设置有探头基板，探头基板上设置有磁探头阵列，磁探头阵列包括多个磁探头，磁探头分别与行电极和列电极进行电连接，行电极和行信号控制器进行连接，列电极和列信号控制器进行连接，行信号控制器和列信号控制器均连接至供电模块，磁探头通入电信号产生高频交变磁场使待检测晶圆级LED芯片内部的载流子形成定向输运和辐射复合产生电致发光；无接触检测装置还包括光信号检测模块，光信号检测模块用于检测待检测晶圆级LED芯片的发光信息。本发明专利技术提高了LED芯片的检测速度和检测精准度，避免了LED芯片检测损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及led芯片检测领域，特别是涉及一种电磁场驱动晶圆级led芯片的无接触检测装置及方法。

技术介绍

1、随着显示技术的日益发展，微型led作为led技术的重要分支之一，一般是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的led阵列，如led显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外led显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米、纳米级。使得一个显示屏上的led芯片数量提升了一个量级，这样的提升对微型led芯片在转移过程中的精确性和速率方面增加了很大难度，不可避免的导致在实际生产中厂家对产品检测的品质和效率方面要求变高。

2、传统的led检测方法通过接触微型led芯片进行检测，会对微型led芯片造成一定程度的损害。同时也无法满足大面积微型led芯片检测的速度需求。

技术实现思路

1、经申请人研究发现：可以采用探头阵列(即，多个探头)同时对多个待检测晶圆级led芯片进行检测，以提高检测效率。但是如果待检测晶圆级led芯片相邻的距离过近，在检测时会同时进行发光，从而互相干扰，影响光信号检测模本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电磁场驱动晶圆级LED芯片的无接触检测装置，其特征在于，所述无接触检测装置包括：用于放置待检测晶圆级LED芯片的检测基板；所述检测基板上方设置有探头基板，所述探头基板上设置有磁探头阵列，所述磁探头阵列包括多个磁探头，所述磁探头分别与行电极和列电极进行电连接，所述行电极和行信号控制器进行连接，所述列电极和列信号控制器进行连接，所述行信号控制器和所述列信号控制器均连接至供电模块，所述行信号控制器和所述列信号控制器用于控制所述磁探头通入电信号以产生高频交变磁场，所述高频交变磁场用于使所述待检测晶圆级LED芯片内部的载流子形成定向输运和辐射复合产生电致发光；所述无接触检测装置还包括光信号...

【技术特征摘要】

1.一种电磁场驱动晶圆级led芯片的无接触检测装置，其特征在于，所述无接触检测装置包括：用于放置待检测晶圆级led芯片的检测基板；所述检测基板上方设置有探头基板，所述探头基板上设置有磁探头阵列，所述磁探头阵列包括多个磁探头，所述磁探头分别与行电极和列电极进行电连接，所述行电极和行信号控制器进行连接，所述列电极和列信号控制器进行连接，所述行信号控制器和所述列信号控制器均连接至供电模块，所述行信号控制器和所述列信号控制器用于控制所述磁探头通入电信号以产生高频交变磁场，所述高频交变磁场用于使所述待检测晶圆级led芯片内部的载流子形成定向输运和辐射复合产生电致发光；所述无接触检测装置还包括光信号检测模块，所述光信号检测模块用于检测所述待检测晶圆级led芯片的发光信息；其中，所述待检测晶圆级led芯片的pn结指向和所述高频交变磁场的磁场方向存在夹角；

2.根据权利要求1所述电磁场驱动晶圆级led芯片的无接触检测装置，其特征在于，所述检测基板上覆盖有导电层，所述导电层接地，所述导电层用于放置待检测晶圆级led芯片。

3.根据权利要求1所述电磁场驱动晶圆级led芯片的无接触检测装置，其特征在于，所述探头基板和所述待检测晶圆级led芯片的垂直距离为100nm到1cm范围。

4.根据权利要求1所述电磁场驱动晶圆级led芯片的无接触检测装置，其特征在于，所述无接触检测装置还包括：所述电信号检测模块；所述电信号检测模...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈荣，吴朝兴，乐健避，张永爱，周雄图，郭太良，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：