复合玻璃陶瓷粉体及其制备方法和LTCC基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种用于LTCC的复合玻璃陶瓷粉体、一种用于LTCC的复合玻璃陶瓷粉体的制备方法、一种LTCC基板的制备方法，以及一种LTCC基板。用于LTCC的复合玻璃陶瓷粉体由5～25wt％的高硼硅玻璃粉、75～95wt％的锌钙硼硅玻璃粉和1～5wt％的改性超细CaSiO<subgt;3</subgt;陶瓷粉所复合，改性超细CaSiO<subgt;3</subgt;陶瓷粉为被锌钙硼硅玻璃溶胶包覆的超细CaSiO<subgt;3</subgt;陶瓷粉。本发明专利技术提供的用于LTCC的复合玻璃陶瓷粉体能够开发介电性能优良、烧结温度低且烧结致密的复合玻璃陶瓷粉体，从而得到介电常数低、介电损耗小、抗弯强度高的LTCC基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于低温共烧陶瓷，尤其涉及一种用于ltcc的复合玻璃陶瓷粉体、一种用于ltcc的复合玻璃陶瓷粉体的制备方法、一种ltcc基板的制备方法，以及一种ltcc基板。

技术介绍

1、低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramic，ltcc)材料是重要的电子元件，具有小尺寸、低成本、高可靠性等优点，被广泛应用于各种电子元器件中。近年来，随着高频通信技术的发展，对于ltcc基板材料的介电性能提出了更高要求。

2、现有的ltcc基板材料主要为玻璃/陶瓷复合体系和微晶玻璃体系。

3、玻璃/陶瓷复合体系含有较多玻璃相，烧结时不析晶，因此软化流动性好，可以得到烧结致密的ltcc基板。然而，较多的玻璃相会导致这类ltcc基板具有较高介电常数和损耗。例如现有的一种玻璃/al2o3陶瓷复合体系的ltcc基板，虽然可以实现与银浆的良好共烧，但其介电常数为7.0～8.3。

4、微晶玻璃体系通过在烧结时析出晶体，表现出优良的介电性能。然而，微晶玻璃体系的析晶十分复杂，且存在烧结温度较高，烧结不致密等问题。现有的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于LTCC的复合玻璃陶瓷粉体，其特征在于，由5～25wt％的高硼硅玻璃粉、75～95wt％的锌钙硼硅玻璃粉和1～5wt％的改性超细CaSiO3陶瓷粉所复合，所述改性超细CaSiO3陶瓷粉为被锌钙硼硅玻璃溶胶包覆的超细CaSiO3陶瓷粉。

2.如权利要求1所述的复合玻璃陶瓷粉体，其特征在于，所述高硼硅玻璃粉的组分为50～70wt％的SiO2、20～30wt％的B2O3、0～10wt％的Al2O3、0～5wt％的MgO、0～5wt％的CaO、0～1wt％的CeO2和0～1wt％的K2O。

3.如权利要求1所述的复合玻璃陶瓷粉体，其特征在于，所述锌钙硼硅玻璃粉...

【技术特征摘要】

1.一种用于ltcc的复合玻璃陶瓷粉体，其特征在于，由5～25wt％的高硼硅玻璃粉、75～95wt％的锌钙硼硅玻璃粉和1～5wt％的改性超细casio3陶瓷粉所复合，所述改性超细casio3陶瓷粉为被锌钙硼硅玻璃溶胶包覆的超细casio3陶瓷粉。

2.如权利要求1所述的复合玻璃陶瓷粉体，其特征在于，所述高硼硅玻璃粉的组分为50～70wt％的sio2、20～30wt％的b2o3、0～10wt％的al2o3、0～5wt％的mgo、0～5wt％的cao、0～1wt％的ceo2和0～1wt％的k2o。

3.如权利要求1所述的复合玻璃陶瓷粉体，其特征在于，所述锌钙硼硅玻璃粉的组分为25～50wt％的sio2、5～35wt％的b2o3、30～45wt％的cao、0～10wt％的zno。

4.如权利要求3所述的复合玻璃陶瓷粉体，其特征在于，所述锌钙硼硅玻璃粉与所述锌钙硼硅玻璃溶胶的组分一致。

5.如权利要求1所述的复合玻璃陶瓷粉体，其特征在于，所述高硼硅玻璃粉和所述锌钙硼硅玻璃粉通过熔融法制备，所述高硼硅玻璃粉和所述锌钙硼硅玻璃粉的粒径d50为3～4μm。

6.如权利要求1所述的复合玻璃陶瓷粉体，其特征在于，所述锌钙硼硅玻璃溶胶通过溶胶凝胶法制备，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾惠丹，杨锐，陈晨，于航，余佳妍，罗雄科，
申请(专利权)人：上海泽丰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：