材料改质加工装置与凹洞成形方法制造方法及图纸

技术编号:41526905 阅读:18 留言:0更新日期:2024-06-03 23:01
本发明专利技术公开一种材料改质加工装置与凹洞成形方法,其中该凹洞成形方法包括以下步骤:提供材料改质加工装置;依据待加工物欲形成的凹洞形貌,使用材料改质加工装置进行局部改质,其包括:计算激光整形扫描信息,依据激光整形扫描信息使光轴调整单元调整激光整形扫描加工模块的位置,及调整加工载台位置,使待加工物被贝赛尔光束通过区域形成改质区域。蚀刻改质区域,以形成凹洞形貌的凹洞。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种材料改质加工装置与凹洞成形方法


技术介绍

1、因应未来网络科技需求,如物联网(internet of things,iot)、人工智慧(artificial intelligence,ai)与机器学习(machine learning)造就了超大型数据中心快速成长。现行大型数据中心使用100gbps乙太网基础设施来长距离传输数据,未来数据中心需求高达800gbps速度,因此用于超大型数据中心的光纤连接器(fiber connector)待加工物对于光信号的损耗需比现行的光通信设备更低,其中长距离传输对于光纤连接器的回波损耗(或称反射损耗,return loss)要求更为严格,具有低回波损耗的斜面物理接触(angled physical contact,apc)的光纤连接器需求量因而急速上升以因应光通信设备市场的快速成长。

2、现有apc接头的制作方法采用半导体的蚀刻制作工艺,以黄光显影加上等离子体干式蚀刻制作所需的异形孔,包含黄光制作工艺定义上、下孔,干式蚀刻上、下孔,再加上分割、研磨出端面角度8度角的制作工艺,总体制作共需本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种材料改质加工装置,包括:

2.如权利要求1所述的材料改质加工装置,其中该第一距离的范围为介于10mm至100mm之间。

3.如权利要求1所述的材料改质加工装置,其中该第一聚焦距离的范围为介于50mm至300mm之间。

4.如权利要求1所述的材料改质加工装置,其中该第二聚焦距离的范围为介于10mm至200mm之间。

5.如权利要求1所述的材料改质加工装置,其中该旋转三棱镜与该第一聚焦镜之间具有第二距离。

6.如权利要求5所述的材料改质加工装置,其中该第二距离的范围为介于50mm至300mm之间。

7.如权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种材料改质加工装置,包括:

2.如权利要求1所述的材料改质加工装置,其中该第一距离的范围为介于10mm至100mm之间。

3.如权利要求1所述的材料改质加工装置,其中该第一聚焦距离的范围为介于50mm至300mm之间。

4.如权利要求1所述的材料改质加工装置,其中该第二聚焦距离的范围为介于10mm至200mm之间。

5.如权利要求1所述的材料改质加工装置,其中该旋转三棱镜与该第一聚焦镜之间具有第二距离。

6.如权利要求5所述的材料改质加工装置,其中该第二距离的范围为介于50mm至300mm之间。

7.如权利要求1所述的材料改质加工装置,其中该第一聚焦镜与该第二聚焦镜之间具有第三距离。

8.如权利要求7所述的材料改质加工装置,其中该第三距离的范围为介于60mm至500mm之间。

9.如权利要求1所述的材料改质加工装置,其中该第一距离为d1,该第一聚焦距离为f1,该第二聚焦距离为f2,该第一聚焦镜与该第一反射镜之间的距离为f1-d1/2,该第二反射镜与该第二聚焦镜之间的距离为f2-d1/2。

10.如权利要求1所述的材料改质加工装置,其中该激光整形扫描加工模块的该激光束的波长介于0.5μm至11μm之间...

【专利技术属性】
技术研发人员:周府隆黄建融林于中
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院
类型:发明
国别省市:

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