一种抗腐蚀的EVA封装胶膜制造技术

本发明专利技术涉及光伏组件用封装材料技术领域，具体为一种抗腐蚀的EVA封装胶膜，其能够提高抗腐蚀性，同时对透过率无影响，能保证胶膜的高透效果，其包括上层胶膜、中间层胶膜和下层胶膜，中间层胶膜的各个原料质量比为：EVA树脂占94%～98%、助交联剂占0.5%～2%、偶联剂占0.5%～2%、引发剂占0.1%～1%、抗氧化剂占0.01%～0.5%、光稳定剂占0.1%～1%，其中，EVA树脂内VA含量为28%；上层胶膜和下层胶膜的各个原料质量比均为：EVA树脂一占75%～93%、EVA树脂二占1%～20%、助交联剂占0.5%～2%、偶联剂占0.5%～2%、引发剂占0.1%～1%、抗氧化剂占0.01%～0.5%、光稳定剂占0.1%～1%，抗腐蚀助剂占0.1%～1%，其中，EVA树脂一内VA含量为28%，EVA树脂二内VA含量为15‑25%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏组件用封装材料，具体为一种抗腐蚀的eva封装胶膜。

技术介绍

1、光伏组件在高温、高湿及光照的条件下使用时，湿气或水逐渐深入组件内部，在光和热的作用下，eva发生norrish typeⅱ脱乙酰反应，产生醋酸。在醋酸存在的环境下，锡铜焊带的两种金属之间形成电势电位差，电势电位低的金属将被腐蚀。而且eva 胶膜的醋酸与会与残留的过氧化形成氢过氧化物，会造成晶体硅电池表面的银栅线被氧化而变黑。

2、现有常见的解决方式是添加抗腐蚀的金属氧化物和氢氧化物，但是添加量较大，加工成本高，而且虽可以减少腐蚀，但又会影响到胶膜的透过率，无法满足高透胶膜的需求。

技术实现思路

1、为了解决现有eva封装胶膜抗腐蚀和高透效果无法兼容的问题，本专利技术提供了一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其能够提高抗腐蚀性，同时对透过率无影响，能保证胶膜的高透效果。

2、其技术方案是这样的：一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其特征在于，其包括上层胶膜、中间层胶膜和下层胶膜，中间层胶膜的各个原料质量比为：eva树脂占本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗腐蚀的EVA封装胶膜，其特征在于，其包括上层胶膜、中间层胶膜和下层胶膜，中间层胶膜的各个原料质量比为：EVA树脂占94%～98%、助交联剂占0.5%～2%、偶联剂占0.5%～2%、引发剂占0.1%～1%、抗氧化剂占0.01%～0.5%、光稳定剂占0.1%～1%，其中，EVA树脂内VA含量为28%；

2.根据权利要求1所述的一种抗腐蚀的EVA封装胶膜，其特征在于，上层胶膜、中间层胶膜和下层胶膜的厚度比例为1：（1~8）：1。

3.根据权利要求1所述的一种抗腐蚀的EVA封装胶膜，其特征在于，偶联剂为硅烷偶联剂，包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、γ-（甲基丙烯酰...

【技术特征摘要】

1.一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其特征在于，其包括上层胶膜、中间层胶膜和下层胶膜，中间层胶膜的各个原料质量比为：eva树脂占94%～98%、助交联剂占0.5%～2%、偶联剂占0.5%～2%、引发剂占0.1%～1%、抗氧化剂占0.01%～0.5%、光稳定剂占0.1%～1%，其中，eva树脂内va含量为28%；

2.根据权利要求1所述的一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其特征在于，上层胶膜、中间层胶膜和下层胶膜的厚度比例为1：（1~8）：1。

3.根据权利要求1所述的一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其特征在于，偶联剂为硅烷偶联剂，包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、γ-（甲基丙烯酰氧基）丙基三甲氧基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、正十二烷基三甲氧基硅烷、正辛基三甲氧基硅烷、环己基三甲氧基硅烷、1,3,5-三（三甲氧基硅丙基）异氰酸酯中的一种或多种按任意配比混合组成。

4.根据权利要求1所述的一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其特征在于，引发剂为过氧化物引发剂，包括但不限于过氧化二碳酸二异丙酯、叔丁基过氧化-2-乙基己碳酸酯、1 ,3-双(叔丁基过氧异丙基)苯、过氧化2-乙基己基碳酸叔戊酯、异丙...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋焘旭，
申请(专利权)人：无锡联能材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：