一种高集成双通道多功能多芯片组件（MCM）互连可靠性分析方法技术

本发明专利技术公开了一种高集成双通道多功能多芯片组件(MCM)互连可靠性分析方法，包括MCM三维自动建模、载荷条件施加、MCM温度互连可靠性分析、MCM电迁移互连可靠性分析、MCM互连可靠性评估和设计指导。本发明专利技术的核心采用ANSYS参数化设计语言实现高集成双通道MCM芯片的三维自动建模。其次，基于原子通量散度理论，采用有限元分析方法实现MCM多功能芯片在不同温度、不同电压、不同结构的互连可靠性分析。相比于传统的实验方法，该建模仿真方法能够对电路中的温度、应力、电流以及材料等属性进行共同耦合分析，具有精确度高、效率高、可操作性强等优势。本发明专利技术能够有效地对芯片互连可靠性进行预测分析，进而对芯片的版图设计提供重要参考，是保障MCM芯片可靠性的重要措施。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路可靠性与电路设计研究领域，更具体的说，是涉及一种高集成双通道多功能多芯片组件(mcm)互连可靠性的分析方法。

技术介绍

1、随着移动通信技术的快速发展，通信系统中射频芯片的工作效率和集成度、功耗等性能不断提高，并逐渐从单功能向多功能，单通道向多通道集成。然而，随着芯片性能和集成度的提高，芯片可靠性的急剧下降成为迫切解决的问题。特别是由(electromigration，em)导致的互连可靠性问题已经成为ic可靠性失效机制中最重要、最致命的失效机制之一。随着电流密度和功率密度不断增加，以及电路互连结构的减小，金属互连线中的金属原子在高温、大电流的作用下会与电子发生一定的动量交换。当能量交换超过一定值时，金属原子会沿着电子运动的方向产生一定的质量迁移。这种大量金属原子的扩散和迁移会形成互连线的原子积累和空位积累，它最终造成互连线的失效。因此，保证芯片的互连可靠性对于芯片发展具有重要意义。

2、目前，mcm技术被认为多功能芯片设计的主流，它能将不同单功能芯片共同封装集成，能够实现系统小型化、多功能化、高性能化。然而，在mcm技术的多本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高集成双通道多功能多芯片组件(MCM)互连可靠性的分析方法，包括MCM三维自动建模、载荷条件施加、MCM温度互连可靠性分析、MCM电迁移互连可靠性分析、MCM互连可靠性评估和指导；

2.根据权利要求1所述的一种高集成双通道多功能多芯片组件(MCM)互连可靠性的分析方法，其特征在于，在分析中得到温度、结构、电压因素对互连可靠性的影响程度、敏感度以及可行域空间等结果，并结果可用于指导芯片的版图设计。

【技术特征摘要】

1.一种高集成双通道多功能多芯片组件(mcm)互连可靠性的分析方法，包括mcm三维自动建模、载荷条件施加、mcm温度互连可靠性分析、mcm电迁移互连可靠性分析、mcm互连可靠性评估和指导；

2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：林倩，赵鹏飞，邬海峰，
申请(专利权)人：青海民族大学，
类型：发明
国别省市：