基准电流源制造技术

技术编号:41524943 阅读:22 留言:0更新日期:2024-06-03 22:58
本发明专利技术提供一种可供给相对于周围温度的变化而言稳定的基准电流的基准电流源。基准电流源具有:基准电压电路,产生基准电压;分压电路,对基准电压进行分压并输出分压电压;以及输出MOS晶体管,当分压电压被施加至栅极端子时供给基准电流,基准电压电路包括:耗尽型MOS晶体管、以及与其沟道的导电型及杂质浓度相同,且费米能级与栅极电极不同的增强型MOS晶体管,分压电路将0V以上且比交叉点低的电压范围的分压电压输出至输出MOS晶体管的栅极端子。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基准电流源


技术介绍

1、由于移动设备、可穿戴设备等在各种场所或气候下使用,因此要求相对于使用环境的变化而言稳定的动作。搭载于这些设备的半导体芯片大多包括模拟电路,对模拟电路供给从基准电流源输出的基准电流作为偏置电流。

2、基准电流源中有通过包括精度良好的电阻体的元件对基准电压电路产生的基准电压进行电流转换并供给基准电流的基准电流源。关于此种基准电流源,以供给稳定的基准电流为目的提出了各种提案。

3、例如,提出了一种即便从基准电压电路产生的基准电压发生变动也可抑制基准电流的变动的基准电流源。

4、具体而言,提出了被输入基准电压的反馈式恒定电压电路、被输入分压后的基准电压的另一反馈式恒定电压电路、连接于它们的输出间的基准电阻、以及基于在基准电阻中流动的电流来输出基准电流的基准电流源(参照专利文献1)。在所述基准电流源中,对基准电压进行分压的分压电路与基准电阻并联连接,使分压电路的合成电阻值比基准电阻高并减少基准电阻中流动的电流,由此抑制相对于基准电压的变动而言基准电流的变动。

5、另外,关于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基准电流源,其特征在于具有:

2.根据权利要求1所述的基准电流源,其中,所述分压电压是消除所述基准电压的温度特性,以避免所述输出金属氧化物半导体晶体管的漏极电流发生温度变动的电压。

3.根据权利要求1或2所述的基准电流源,其中,所述分压电路包括修整电路,所述修整电路能够对所述分压电压进行调整。

【技术特征摘要】

1.一种基准电流源,其特征在于具有:

2.根据权利要求1所述的基准电流源,其中,所述分压电压是消除所述基准电压的温度特性,以避免所述输出金属氧化物半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员:上岛康博
申请(专利权)人:艾普凌科株式会社
类型:发明
国别省市:

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