LED芯片缺陷检测方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种LED芯片缺陷检测方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：根据多个设备节点分别选择对应的多个芯片制程检测模型，并将各设备节点在目标时间段的芯片制程数据分别输入对应的芯片制程检测模型中，得到对应的制程良率；基于各设备节点对应的权重数据和对应的制程良率计算目标时间段中生产的目标LED芯片的制程通过率；基于制程通过率判断目标LED芯片的产品等级是否为预设的不良品等级；对不良品等级的目标LED芯片进行芯片电学检测，得到芯片缺陷检测结果。本方法在LED芯片进行电学检测前使用不同工艺步骤时的制程数据，预测产品的出货品质和等级，只对不良产品进行电测，降低电测成本，并且可以使得产品电测导致的二次不良率下降。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及缺陷检测领域，尤其涉及一种led芯片缺陷检测方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

1、led（light emitting diode）芯片是一种重要的半导体器件，广泛应用于照明、显示和通信等领域。为了确保led芯片的质量和性能稳定，电学检测成为了led生产过程中不可或缺的环节。然而电测是led制成工艺中效率最低，是设备台套数最多、占用面积最大的作业流程。随着mini和micro显示需求的大幅增长，电极几何尺寸越来越小，电极扎准越来越难，扎伤扎坏产品的比例将越来越高。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于解决现有的使用电学检测对led芯片进行缺陷检测导致扎伤扎坏产品增多的技术问题。

2、本专利技术第一方面提供了一种led芯片缺陷检测方法，所述led芯片缺陷检测方法应用于led芯片生产系统，所述led芯片生产系统包括led芯片在制程过程中多个制程段对应的多个设备节点；所述led芯片缺陷检测方法包括：

3、获取所述led芯片生产系统中各设备节点在目标时间段的芯片制程数本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述LED芯片缺陷检测方法应用于LED芯片生产系统，所述LED芯片生产系统包括LED芯片在制程过程中多个制程段对应的多个设备节点；所述LED芯片缺陷检测方法包括：

2.根据权利要求1所述的LED芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述芯片制程数据包括芯片制程参数和/或三维形貌检测图像；

3.根据权利要求2所述的LED芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述将所述芯片制程参数进行预处理后分别输入对应的芯片制程检测模型中，得到对应的设备节点在所述目标时间段对应的制程良率包括：

4.根据权利要求3所述的LED芯片缺陷检测方法，...

【技术特征摘要】

1.一种led芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述led芯片缺陷检测方法应用于led芯片生产系统，所述led芯片生产系统包括led芯片在制程过程中多个制程段对应的多个设备节点；所述led芯片缺陷检测方法包括：

2.根据权利要求1所述的led芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述芯片制程数据包括芯片制程参数和/或三维形貌检测图像；

3.根据权利要求2所述的led芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述将所述芯片制程参数进行预处理后分别输入对应的芯片制程检测模型中，得到对应的设备节点在所述目标时间段对应的制程良率包括：

4.根据权利要求3所述的led芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述通过所述输入层对所述芯片制程参数进行数据预处理以及数据特征提取，得到数据特征包括：

5.根据权利要求2所述的led芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述获取所述图像检测制程段中的三维形貌检测图像，并将所述三维形貌检测图像和所述芯片制程参数进行预处理后输入对应的芯片制程检测模型，得到对应的设备节点在所述目标时间段对应的制程良率包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：古乐野，
申请(专利权)人：深圳市鹏乐智能系统有限公司，
类型：发明
国别省市：