【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微纳米器件、二维电子器件以及半导体集成电路，具体涉及一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法。
技术介绍
1、随着半导体工艺节点不断逼近物理极限，传统硅基半导体材料由于短沟道效应与表面杂质散射等因素的影响，已很难支撑半导体工业的进一步发展。与此同时，具有可调带隙且无表面悬挂键的二维层状半导体材料却可以在极小尺度下维持高载流子迁移率等优越的电学性能，为摩尔定律的进一步延续提供了新的可能性。由于低功耗、高响应速度、强抗干扰能力以及低成本等优势，互补型金属-氧化物半导体场效应晶体管(cmos)通常是构成集成电路的基础元件，这种结构需要电子导电(n-型)的半导体与空穴导电(p-型)的半导体共同实现，因此半导体材料的改性掺杂是构筑电子功能器件的重要前提。在硅基集成电路工艺中，掺杂主要通过离子注入实现，对于只有原子层厚度的二维材料电子器件而言，无法通过类似工艺实现有效掺杂，因此新的二维半导体掺杂正在受到研究者的广泛关注。比如，通过引入半径近似的阳离子(如铌、铼等)或阴离子(如碳、氮等)，在不破坏主体材料晶体结构的前提下，实现...
【技术保护点】
1.一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法，其特征在于，所述步骤1中制备的方法为机械剥离、化学生长以及物理沉积中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法，其特征在于，所述步骤1中高功函数二维层状绝缘材料为CrOCl、VOCl3、CrSBr3、Cr2Ge2Te6、CrCl3中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法，其特征在于，所述步骤1中制备的方法为机械剥离、化学生长以及物理沉积中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法，其特征在于，所述步骤1中高功函数二维层状绝缘材料为crocl、vocl3、crsbr3、cr2ge2te6、crcl3中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法，其特征在于，所述高功函数二维层状绝缘材料的厚度为1～200nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法，其特征在于，所述步骤1中硬质衬底为硅基片、云母基片、石英基片、蓝宝石衬底中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法，其特征在于，所述...
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