【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电磁波防护，尤其涉及一种吸波结构。
技术介绍
1、在建筑或者产品中往往会用到吸波材料吸收波，以提高建筑或者产品的电磁防护效果。目前多数吸波材料是通过添加吸波剂实现电磁波能量损耗，同时为了降低表面的反射，常辅以结构设计，使得电磁波能够入射到材料内部。常用的结构是多孔、角锥或者多层结构。多孔和多层结构的频段一般较窄，角锥结构的低频吸收效果略差。且当电磁波为斜入射时，反射增强，吸收效果变差。
技术实现思路
1、本申请提供了一种吸波结构，增大吸波材料的频带宽度，改善吸波材料的吸波性能，特别是改善电磁波在斜入射时吸波材料对电磁波的吸收效果。
2、本申请提供了一种吸波结构，该吸波结构包括：吸波基底以及位于所述吸波基底上的至少一个吸波单元；其中，所述吸波单元包括吸波墙壁以及由所述吸波墙壁围成的多个腔体；多个所述腔体包括呈交叉状的第一腔体，以及位于每个所述第一腔体端部的第二腔体；其中，
3、每个第二腔体与对应的第一腔体连通，所述第一腔体的横截面宽度小于所述第二腔体的横截面宽度。
4、在上述技术方案中，通过采用吸波单元形成不同横截面积的腔体，以使得两个腔体吸收的频率范围不同，从而增大吸波结构可吸收频率的整体范围，提高吸波结构的吸波效果。
5、在一个具体的可实施方案中，所述第一腔体包括交叉的第一子腔体和第二子腔体，且所述第一子腔体及所述第二子腔体相互垂直；其中，
6、所述第一子腔体及所述第二子腔体的每个端部均设置有一所述第二腔体。<...
【技术保护点】
1.一种吸波结构，其特征在于，包括：吸波基底以及位于所述吸波基底上的至少一个吸波单元；其中，所述吸波单元包括吸波墙壁以及由所述吸波墙壁围成的多个腔体；多个所述腔体包括呈交叉状的第一腔体，以及位于每个所述第一腔体端部的第二腔体；其中，
2.根据权利要求1所述的吸波结构，其特征在于，所述第一腔体包括交叉的第一子腔体和第二子腔体，且所述第一子腔体及所述第二子腔体相互垂直；其中，
3.根据权利要求1所述的吸波结构，其特征在于，所述吸波单元的个数为多个，且多个腔体阵列排列；其中，相邻的吸波单元之间的腔体连通。
4.根据权利要求3所述的吸波结构，其特征在于，相邻的吸波单元中相邻的第二腔体连通。
5.根据权利要求1所述的吸波结构，其特征在于，所述吸波单元与所述吸波基底一体成型。
6.根据权利要求1～5任一项所述的吸波结构，其特征在，所述吸波墙壁为直墙壁或者所述吸波墙壁整体为上尖下宽的结构。
7.根据权利要求1～5任一项所述的吸波结构，其特征在于，所述吸波墙壁包括第一墙壁以及第二墙壁，所述第二墙壁围成多个所述腔体；所述第一墙
8.根据权利要求7所述的吸波结构，其特征在于，所述第一波浪形墙壁及所述第二波浪形墙壁的形状相同；且所述第一直墙壁低于所述第二直墙壁的高度。
9.根据权利要求8所述的吸波结构，其特征在于，所述第一波浪形墙壁的波峰与波谷之间的直线距离等于所述第一直墙壁的厚度；和/或，
10.根据权利要求8所述的吸波结构，其特征在于，所述第一波浪形墙壁与所述第二波浪形墙壁的高度差介于0.5～2个波长。
...【技术特征摘要】
1.一种吸波结构，其特征在于，包括：吸波基底以及位于所述吸波基底上的至少一个吸波单元；其中，所述吸波单元包括吸波墙壁以及由所述吸波墙壁围成的多个腔体；多个所述腔体包括呈交叉状的第一腔体，以及位于每个所述第一腔体端部的第二腔体；其中，
2.根据权利要求1所述的吸波结构，其特征在于，所述第一腔体包括交叉的第一子腔体和第二子腔体，且所述第一子腔体及所述第二子腔体相互垂直；其中，
3.根据权利要求1所述的吸波结构，其特征在于，所述吸波单元的个数为多个，且多个腔体阵列排列；其中，相邻的吸波单元之间的腔体连通。
4.根据权利要求3所述的吸波结构，其特征在于，相邻的吸波单元中相邻的第二腔体连通。
5.根据权利要求1所述的吸波结构，其特征在于，所述吸波单元与所述吸波基底一体成型。
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【专利技术属性】
技术研发人员：梅立业，李甍，袁瑾，李丰羽，马帅鹏，
申请(专利权)人：郑州天幕新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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