水平垂直交叉耦合半模腔的双层基片集成波导滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于水平垂直交叉耦合半模腔的双层基片集成波导滤波器，包括从上往下堆叠的上层单元、下层单元。上层单元的两个半模谐振腔与下层单元的全模谐振腔通过位于第二金属层的金属开槽形成垂直耦合，上层单元的两个半模谐振腔通过第一金属层的微带短截线形成水平耦合。垂直耦合路径为主耦合路径，水平耦合路径为交叉耦合路径，垂直耦合与水平耦合两种方式构成了滤波器的水平垂直交叉耦合结构，可为滤波器增加一个传输零点。第三金属层所开的金属半环形缝隙可以用以调整全模谐振腔的谐振频率。本发明专利技术在提升了滤波器选择性的情况下，利用垂直耦合结构及半模腔技术实现了小型化。可以应用到该频段的5G毫米波移动通信系统中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波无源器件领域，特别是涉及一种基于水平垂直交叉耦合半模腔的双层基片集成波导滤波器

技术介绍

1、随着通信技术的迅速演进，滤波器作为电路的关键组成部分备受瞩目。近十多年来，基片集成波导技术的崛起将传统平面结构与非平面结构滤波器的优点融为一体。这种技术创新赋予了基片集成波导滤波器高品质因数(q值)、极低辐射损耗和较大功率容量的特性。值得一提的是，它易于与平面结构电路集成，同时也有效降低了加工成本。

2、滤波器的选择性是评估其性能的重要标准。在信号传输或采集过程中，来自不同信源的干扰对信号质量造成影响。不同信号频率的相互交织和重叠会损害信号接收效果，降低通信信号的质量。高选择性的滤波器有助于减少这些干扰，提升系统性能和可靠性。

3、此外，当下备受关注的5g微波毫米波通信系统，特别是大规模mimo系统，对微波毫米波前端模块的尺寸提出更高要求。因此，迫切需要研究满足高选择性和尺寸小型化优势的滤波器，以满足日益增长的通信需求。

技术实现思路

1、技术问题：本专利技术的目的是提出一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于水平垂直交叉耦合半模腔的双层基片集成波导滤波器，其特征在于：包括从上往下堆叠的上层单元、下层单元；

2.根据权利要求1所述的基于水平垂直交叉耦合半模腔的双层基片集成波导滤波器，其特征在于：所述上层单元与下层单元位于不同的平面；左侧半模谐振腔(R1)和全模谐振腔(R2)通过矩形耦合槽(12)形成垂直耦合，全模谐振腔(R2)和右侧半模谐振腔(R3)通过矩形耦合槽(12)形成垂直耦合；左侧半模谐振腔(R1)和右侧半模谐振腔(R3)通过微带短截线(11)形成水平耦合；垂直耦合路径为主耦合路径，水平耦合路径为交叉耦合路径，垂直耦合与水平耦合两种方式构成了滤波器的水平垂直交叉...

【技术特征摘要】

1.一种基于水平垂直交叉耦合半模腔的双层基片集成波导滤波器，其特征在于：包括从上往下堆叠的上层单元、下层单元；

2.根据权利要求1所述的基于水平垂直交叉耦合半模腔的双层基片集成波导滤波器，其特征在于：所述上层单元与下层单元位于不同的平面；左侧半模谐振腔(r1)和全模谐振腔(r2)通过矩形耦合槽(12)形成垂直耦合，全模谐振腔(r2)和右侧半模谐振腔(r3)通过矩形耦合槽(12)形成垂直耦合；左侧半模谐振腔(r1)和右侧半模谐振腔(r3)通过微带短截线(11)形成水平耦合；垂直耦合路径为主耦合路径，水平耦合路径为交叉耦合路径，垂直耦合与水平耦合两种方式构成了滤波器的水平垂直交叉耦合结构。

3.根据权利要求2所述的基于水平垂直交叉耦合半模腔的双层基片集成波导滤波器，其特征在于：所述矩形耦合槽(12)有四个均位于下层金属化通孔阵列(10)内谐振腔的两侧，且与相对的谐振腔侧壁平行，四个矩形耦合槽(12)的耦合槽面积相同。

4.根据权利要求3所述的基于水平垂直交叉耦合半模腔的双层基片集成波导滤波器，其特征在于：所述矩形耦合槽(12)提供垂直耦合路径的磁耦合，通过调节矩形耦合槽(12)的面积，控制垂直耦合路径的磁耦合量。

5.根据权利要求2所述的基于水平垂直交叉耦合半模腔的双层基片集成波导滤波器，其特征在于：所述微带短截线(11)有两个分...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓维，仇璐，杨献龙，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：