【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片加工,具体为一种pvd设备防空载上料系统及上料方法。
技术介绍
1、硅是由石英砂所精练出来的,硅片便是硅元素加以纯化,接着是将这些纯硅制成硅晶棒,成为制造集成电路的石英半导体的材料,随着大规模集成电路的发展,硅片作为半导体等电子产品的主要衬底材料被广泛应用。
2、pvd(物理气相沉积)设备在对硅片进行加工时,一般通过上料机将硅片排列在载板上,再把载板送入pvd设备进行加工,由于上料机的上料速度无法与pvd设备的加工速度匹配,会导致pvd设备出现空载的情况,导致设备出现问题,为了防止pvd设备在加工过程中出现空载的情况,会采用假载板的方式防止空载,即当真载板(装载硅片的载板)未装载完毕,而pvd设备内的硅片加工完毕时,将假载板(未装载硅片的载板)送入pvd设备,以防止pvd设备空载。
3、现有技术中,一般通过两种方式对pvd设备输送真载板与假载板,一是通过两个上料机分别对真载板与假载板进行上料,十分不便,且占地面积较大;二是通过一个上料机对假载板与真载板进行上料,后者虽然占地面积较小,但假载板与真
...【技术保护点】
1.一种PVD设备防空载上料系统,其特征在于,包括:机架,所述机架上设置有载板上料区(5)、硅片码料区、待加工区(7)以及载板转运装置(6),所述硅片码料区和待上料区分别置于载板上料区(5)的两侧;
2.根据权利要求1所述的一种PVD设备防空载上料系统,其特征在于:所述硅片码料区包括缓存区(1)、码料区(2)、升降区(3)以及硅片上料装置(4),所述码料区(2)置于缓存区(1)的上方,所述缓存区(1)与码料区(2)置于载板上料区(5)一侧,所述升降区(3)置于缓存区(1)远离载板上料区(5)的一侧;
3.根据权利要求2所述的一种PVD设备防空载
...【技术特征摘要】
1.一种pvd设备防空载上料系统,其特征在于,包括:机架,所述机架上设置有载板上料区(5)、硅片码料区、待加工区(7)以及载板转运装置(6),所述硅片码料区和待上料区分别置于载板上料区(5)的两侧;
2.根据权利要求1所述的一种pvd设备防空载上料系统,其特征在于:所述硅片码料区包括缓存区(1)、码料区(2)、升降区(3)以及硅片上料装置(4),所述码料区(2)置于缓存区(1)的上方,所述缓存区(1)与码料区(2)置于载板上料区(5)一侧,所述升降区(3)置于缓存区(1)远离载板上料区(5)的一侧;
3.根据权利要求2所述的一种pvd设备防空载上料系统,其特征在于:所述缓存区(1)包括多个转动设置的第一输送辊(11),多个所述第一输送辊(11)分别置于缓存区(1)的两侧。
4.根据权利要求2所述的一种pvd设备防空载上料系统,其特征在于:所述码料区(2)包括多个转动设置的第二输送辊(21)以及两个并列设置的硅片对位组件,多个所述第二输送辊(21)分别置于码料区(2)的两侧,所述硅片对位组件包括多个均分为两列的uvw对位平台(22);
5.根据权利要求2所述的一种pvd设备防空载上料系统,其特征在于:所述升降区(3)包括两个第一支撑架(31)、滑动设置于两个第一支撑架(31)之间的第一升降架(32)、用于驱动第一升降架(32)做升降运动的第一驱动组件以及多个第三输送辊(33),多个所述第三输送辊(33)分别转动设置于第一升降架(32)的顶面...
【专利技术属性】
技术研发人员:王小彬,董晓清,
申请(专利权)人:无锡江松科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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